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1. (WO2012042988) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND IMAGE PICKUP DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/042988    International Application No.:    PCT/JP2011/064276
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 22.06.2011
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Applicants: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP) (For All Designated States Except US).
GOTO Takashi; (For US Only)
Inventors: GOTO Takashi;
Agent: TAKAMATSU Takeshi; Koh-Ei Patent Firm Toranomon East Bldg. 9F 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2010-216103 27.09.2010 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE PRISES DE VUES À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE PRISES DE VUES
(JA) 固体撮像素子及び撮像装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a solid-state image pickup element which can improve the qualities of picked up images. The solid-state image pickup element is provided with: a plurality of pixel electrodes (21), which are two-dimensionally disposed above a semiconductor substrate (6); a counter electrode (23), which is formed on the upper layers of the pixel electrodes (21), and which is composed of a transparent conductive oxide having a resistance of 100 kΩ/□ or lower; a light receiving layer (22), which is formed between the pixel electrodes (21) and the counter electrode (23), and which includes a photoelectric conversion layer containing an organic material; and a connecting section (3), which electrically connects a voltage supply line (4) and the counter electrode (23) to each other, said voltage supply line supplying a vias voltage to be applied to the counter electrode (23). In planar view, a substantially rectangular region having the pixel electrodes (21) disposed therein is formed as a pixel region (2), the size of the pixel region (2) is 5 inches or smaller, the connecting section (3) is formed in a part of the peripheral region outside of the pixel region (2), said part being a region close to and along at least one side of the four sides of the pixel region (2) or a region close to at least two corners among the four corners of the pixel region (2), and the counter electrode (23) is formed such that the counter electrode extends to even over the connecting section (3).
(FR)La présente invention concerne un élément de prises de vues à semi-conducteur qui peut optimiser les qualités d'images prises. L'élément de prises de vues à semi-conducteur est pourvu : d'une pluralité d'électrodes à pixels (21), qui sont disposées de façon bidimensionnelle au-dessus d'un substrat à semi-conducteur (6) ; d'une contre-électrode (23), qui est formée sur les couches supérieures des électrodes à pixels (21), et qui se compose d'un oxyde conducteur transparent qui possède une résistance de 100 kΩ/□ ou moins ; d'une couche réceptrice de lumière (22), qui est formée entre les électrodes à pixels (21) et la contre-électrode (23), et qui comprend une couche de conversion photoélectrique qui contient un matériau organique ; et d'une section de connexion (3), qui connecte électriquement une ligne d'alimentation en tension (4) et la contre-électrode (23) l'une à l'autre, ladite ligne d'alimentation en tension fournissant une tension de polarisation destinée à être appliquée sur la contre-électrode (23). En vue en plan, une région sensiblement rectangulaire dans laquelle sont disposées les électrodes à pixels (21) est formée sous forme de région à pixels (2), la taille de la région à pixels (2) est 5 pouces ou moins, la section de connexion (3) est formée dans une partie de la région périphérique à l'extérieur de la région à pixels (2), ladite partie étant une région proche et le long d'au moins un des quatre côtés de la région à pixels (2) ou une région proche d'au moins deux coins parmi les quatre coins de la région à pixels (2), et la contre-électrode (23) est formée de sorte que la contre-électrode s'étende même jusqu'au-dessus de la section de connexion (3).
(JA) 撮像画像品質を向上させることが可能な固体撮像素子を提供する。 半導体基板6上方に二次元状に配列された複数の画素電極21と、画素電極21の上層に形成された抵抗が100kΩ/□以下の透明導電性酸化物で構成される対向電極23と、画素電極21と対向電極23との間に形成された有機材料を含む光電変換層を含む受光層22と、対向電極23に印加するバイアス電圧を供給する電圧供給線4と対向電極23との電気的接続を行う接続部3とを備え、平面視において画素電極21が配列された略矩形の領域を画素領域2とし、画素領域2のサイズは5インチ以下であり、接続部3は、画素領域2より外側の周辺領域のうち、画素領域2の4辺のうちの少なくとも1辺の近傍で当該1辺に沿った領域、又は、画素領域2の4つの角のうちの少なくとも2つの角の近傍領域に形成され、対向電極23は接続部3上にまで伸びて形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)