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1. (WO2012042959) CU-IN-GA-SE QUATERNARY ALLOY SPUTTERING TARGET
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/042959    International Application No.:    PCT/JP2011/060347
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 28.04.2011
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
Applicants: JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (For All Designated States Except US).
TAMURA Tomoya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAMI Hideo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKAMOTO Masaru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAMURA Tomoya; (JP).
TAKAMI Hideo; (JP).
SAKAMOTO Masaru; (JP)
Agent: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 1-10, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2010-214738 27.09.2010 JP
Title (EN) CU-IN-GA-SE QUATERNARY ALLOY SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION EN ALLIAGE QUATERNAIRE CUIVRE-INDIUM-GALLIUM-SÉLÉNIUM
(JA) Cu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲット
Abstract: front page image
(EN)In the present invention a quaternary alloy sputtering target comprises copper (Cu), indium (In), gallium (Ga) and selenium (Se), the sputtering target being characterized in that the compositional ratio of the elements is represented by the formula CuxIn1-yGaySea (in the formula, 0.84≤x≤0.98, 02 phase and has no Cu2Se or Cu(In,Ga)3Se5 heterogeneous phase. Provided are a CIGS quaternary alloy sputtering target that exhibits almost no abnormal discharge even during long-term sputtering, contains no Cu2Se or Cu(In,Ga)3Se5 heterogeneous phase which is a cause of reduced film conversion efficiency following sputtering film deposition, and that can produce a film having excellent in-plane uniformity, and a CIGS quaternary alloy sputtering target having a prescribed bulk resistance and a high density.
(FR)La présente invention se rapporte à une cible de pulvérisation en alliage quaternaire qui comprend du cuivre (Cu), de l'indium (In), du gallium (Ga) et du sélénium (Se), la cible de pulvérisation étant caractérisée en ce que le rapport de composition des éléments est représenté par la formule CuxIn1-yGaySea (dans la formule, 0,84 ≤ x ≤ 0,98, 0 < y ≤ 0,5 et a=(1/2)x+ 3/2) et en ce qu'une structure observée par un micro-analyseur par sondes électroniques (EPMA, Electron Probe Micro-Analyser) comprend seulement une phase de Cu(In,Ga)Se2 et ne présente aucune phase hétérogène de Cu2Se ou de Cu(In,Ga)3Se5. La présente invention se rapporte également à une cible de pulvérisation en alliage quaternaire CIGS qui ne présente presque aucune décharge anormale même pendant une pulvérisation sur une longue durée, ne contient pas de phase hétérogène de Cu2Se ou de Cu(In,Ga)3Se5 qui est une cause de la diminution du rendement de conversion du film après un dépôt d'un film de pulvérisation et qui peut produire un film qui présente une excellente uniformité dans le plan, et une cible de pulvérisation en alliage quaternaire CIGS qui présente une résistance volumique prescrite et une densité élevée.
(JA)銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットであって、各元素の構成比は、式CuIn1-yGaSe(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)であり、EPMAにより観察した組織において、CuSe又はCu(In、Ga)Seの異相のない、Cu(In、Ga)Se相のみからなることを特徴とするCu-In-Ga-Seからなる四元系合金スパッタリングターゲット。長時間スパッタリングしても異常放電が殆どなく、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下の要因となるCuSe又はCu(In、Ga)Seの異相が存在せず、面内均一性に優れた膜の製造が可能であるCIGS四元系合金スパッタリングターゲット、さらに、所定のバルク抵抗を備え、かつ高密度のCIGS四元系合金スパッタリングターゲットを提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)