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1. (WO2012042897) METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/042897    International Application No.:    PCT/JP2011/005533
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 30.09.2011
Chapter 2 Demand Filed:    25.04.2012    
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
KATAYAMA, Koji; (For US Only).
TAKAGI, Takeshi; (For US Only)
Inventors: KATAYAMA, Koji; .
TAKAGI, Takeshi;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2010-223818 01.10.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, ET ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶素子の製造方法および不揮発性記憶素子
Abstract: front page image
(EN)This method for manufacturing a variable resistance non-volatile memory element comprises: a step for forming a first electrode (2) on a substrate (1); a step for forming a first metal oxide layer (31) having a prescribed oxygen content on the first electrode (2); a modification step for forming a modified layer having resistance higher than the first metal oxide layer (31) on at least part of the first metal oxide layer (31) by reducing the degree of oxygen deficiency in a part thereof; a step for forming a second metal oxide layer (32) having an oxygen content lower than the first metal oxide layer (31) on the modified layer; and a step for forming a second electrode (4) on the second metal oxide layer (32). A variable resistance layer is constituted of the first metal oxide layer (31) having the modified layer and the second metal oxide layer (32), and the first electrode (2) and the second electrode (4) are connected. The variable resistance layer transitions between a high resistance state and a low resistance state according to the polarity of electrical pulses applied.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de mémoire non volatile à résistance variable qui comprend : une étape consistant à former une première électrode (2) sur un substrat (1) ; une étape consistant à former une première couche d'oxyde métallique (31) ayant une teneur en oxygène prescrite sur la première électrode (2) ; une étape de modification consistant à former une couche modifiée ayant une résistance supérieure à celle de la première couche d'oxyde métallique (31) sur au moins une partie de la première couche d'oxyde métallique (31) en réduisant le degré d'insuffisance d'oxygène dans une partie de celle-ci ; une étape consistant à former une deuxième couche d'oxyde métallique (32) ayant une teneur en oxygène inférieure à celle de la première couche d'oxyde métallique (31) sur la couche modifiée ; et une étape consistant à former une deuxième électrode (4) sur la deuxième couche d'oxyde métallique (32). Une couche à résistance variable est constituée par la première couche d'oxyde métallique (31) avec la couche modifiée et la deuxième couche d'oxyde métallique (32), et la première électrode (2) et la deuxième électrode (4) sont reliées. La couche à résistance variable passe d'un état à résistance élevée à un état à résistance faible et vice versa en fonction de la polarité d'impulsions électriques appliquées.
(JA) 本発明の抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法は、基板(1)上に第1電極(2)を形成する工程と、第1電極(2)上に、所定の酸素含有率を有する第1金属酸化物層(31)を形成する工程と、第1金属酸化物層(31)の少なくとも一部の酸素欠損度合いを低減させることにより、少なくとも一部に第1金属酸化物層(31)より高い抵抗を有する改質層を形成する改質工程と、改質層上に、第1金属酸化物層(31)よりも小さい酸素含有率を有する第2金属酸化物層(32)を形成する工程と、第2金属酸化物層(32)の上に、第2電極(4)を形成する工程と、を含む。抵抗変化層は、改質層を有する第1金属酸化物層(31)と、第2金属酸化物層(32)とで構成され、第1電極(2)及び第2電極(4)が接続されている。抵抗変化層は、印加される電気的パルスの極性に応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを遷移する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)