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1. (WO2012042772) THIN FILM MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/042772    International Application No.:    PCT/JP2011/005208
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 15.09.2011
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (For All Designated States Except US).
MASUDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IDENO, Takuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAJINUMA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ODAJIMA, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UCHIDA, Yohei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUU, Koukou [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MASUDA, Takeshi; (JP).
IDENO, Takuya; (JP).
KAJINUMA, Masahiko; (JP).
ODAJIMA, Nobuhiro; (JP).
UCHIDA, Yohei; (JP).
SUU, Koukou; (JP)
Agent: OMORI, Junichi; 2nd Floor U&M Akasaka Bldg., 7-5-47 Akasaka, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Priority Data:
2010-219225 29.09.2010 JP
Title (EN) THIN FILM MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LA FABRICATION DE FILMS MINCES
(JA) 薄膜製造方法及び薄膜製造装置
Abstract: front page image
(EN)In order to provide a thin film manufacturing method and a thin film manufacturing apparatus, wherein a thin film with good reproducibility can be manufactured at low cost, and in a way wherein resources are saved, a dummy substrate (S2) is conveyed into a chamber (51), dummy processing gas is supplied to the dummy substrate (S2), a product substrate (S3) is conveyed into the chamber (51), and raw material gas different from the dummy processing gas, and containing therein metal material for manufacturing a thin film with the Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method, is supplied to the product substrate (S3). Since the raw material gas is not used as dummy processing gas, the amount of metal material to be used can be inhibited, and a thin film with good reproducibility can be manufactured at low cost, and in a way wherein resources are saved.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil qui permettent de fabriquer des films minces avec une bonne reproductibilité et à moindre coût, tout en économisant les ressources. Pour ceci, un substrat factice (S2) est transporté dans une chambre (51), un gaz de traitement factice est envoyé sur le substrat factice (S2), un substrat de produit (S3) est transporté dans la chambre (51), et un gaz de matières premières différent du gaz de traitement factice et contenant un matériau métallique pour la fabrication d'un film mince par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) est envoyé sur le substrat de produit (S3). Comme le gaz de matières premières n'est pas utilisé comme gaz de traitement factice, la quantité de matériau métallique à utiliser peut être réduite, et des films minces peuvent être fabriqués avec une bonne reproductibilité et à moindre coût, tout en économisant les ressources.
(JA)再現性のよい薄膜を省資源及び低コストで製造することができる薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供するために、チャンバ51内にダミー基板S2を搬送し、ダミー基板S2にダミー処理用ガを供給し、チャンバ51内に製品基板S3を搬送し、製品基板S3に、ダミー処理用ガスと異なる、MOCVD(Metal Organic ChemicalVapor Deposition)法により薄膜を製造するための金属原料を含む原料ガスを供給する。ダミー処理用ガスとして原料ガスが用いられないので、各金属原料の消費量を抑えることができ、再現性のよい薄膜を省資源及び低コストで製造することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)