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1. (WO2012042770) METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE FOR HARD DISK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/042770    International Application No.:    PCT/JP2011/005185
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 14.09.2011
IPC:
G11B 5/84 (2006.01), B08B 3/08 (2006.01), C03C 23/00 (2006.01)
Applicants: Konica Minolta Advanced Layers, Inc. [JP/JP]; 2970, Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo 1928505 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIMAZU, Noriko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIMAZU, Noriko; (JP)
Agent: KOTANI, Etsuji; Osaka Nakanoshima Building 2nd Floor 2-2, Nakanoshima 2-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2010-221977 30.09.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE FOR HARD DISK
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT EN VERRE POUR DISQUE DUR
(JA) ハードディスク用ガラス基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention reduces the amount of adhesion of colloidal silica contained in a polishing liquid to a glass substrate in a method for producing a glass substrate for a hard disk. The method for producing a glass substrate for a hard disk involves a fine polishing step (D) in which a polishing liquid containing colloidal silica is used. In a cleaning step (E) and/or a step of carrying the glass substrate with a container member that follow(s) the fine polishing step (D), the glass substrate is cleaned and/or carried under the following electric potential conditions: the ζ-potential of the colloidal silica (ζS) brought in from the fine polishing step (D), the ζ-potential of the glass substrate (ζG), and the ζ-potential of the container member (ζC) are all below zero (ζS<0, ζG<0, and ζC<0); the ζ-potential of the glass substrate is below or equal to the ζ-potential of the container member (ζG≤ζC); and the difference in ζ-potential between the glass substrate and the container member, the difference in ζ-potential between the glass substrate and the colloidal silica, and the difference in ζ-potential between the colloidal silica and the container member are all less than or equal to 20 mV (|ζG-ζC|≤20 mV, |ζG-ζS|≤20 mV, and |ζS-ζC|≤20 mV).
(FR)La présente invention réduit le niveau d'adhérence de silice colloïdale contenue dans un liquide de polissage à un substrat en verre dans un procédé de production d'un substrat en verre pour disque dur. Le procédé de production d'un substrat en verre pour disque dur comprend une étape de polissage fin (D) à laquelle un liquide de polissage contenant de la silice colloïdale est utilisé. À une étape de nettoyage (E) et/ou une étape de transport du substrat en verre avec un élément contenant qui suivent l'étape de polissage fin (D), le substrat en verre est nettoyé et/ou transporté dans les conditions de potentiel électrique suivantes : le potentiel ζ de la silice colloïdale (ζS) introduite par l'étape de polissage fin (D), le potentiel ζ du substrat en verre (ζG) et le potentiel ζ de l'élément contenant (ζC) sont tous inférieurs à zéro (ζS < 0, ζG < 0 et ζC < 0); le potentiel ζ du substrat en verre est inférieur ou égal au potentiel ζ de l'élément contenant (ζG ≤ ζC); et la différence de potentiel ζ entre le substrat en verre et l'élément contenant, la différence de potentiel ζ entre le substrat en verre et la silice colloïdale et la différence de potentiel ζ entre la silice colloïdale et l'élément contenant sont toutes inférieures ou égales à 20 mV (|ζG-ζC| ≤ 20 mV, |ζG-ζS| ≤ 20 mV et |ζS-ζC| ≤ 20 mV).
(JA)ハードディスク用ガラス基板の製造方法において研磨液に含有されるコロイダルシリカのガラス基板への付着量を低減する。ハードディスク用ガラス基板の製造方法はコロイダルシリカを含有する研磨液が用いられる精密研磨工程Dを含む。精密研磨工程D後の洗浄工程E及び/又は収容部材を用いるガラス基板の搬送工程において精密研磨工程Dから持ち込まれたコロイダルシリカのζ電位(ζS)、ガラス基板のζ電位(ζG)及び収容部材のζ電位(ζC)がすべて0未満であり(ζS<0、ζG<0、ζC<0)、ガラス基板のζ電位が収容部材のζ電位以下であり(ζG≦ζC)、ガラス基板と収容部材のζ電位差、ガラス基板とコロイダルシリカのζ電位差及びコロイダルシリカと収容部材のζ電位差がすべて20mV以下である(|ζG-ζC|≦20mV、|ζG-ζS|≦20mV、|ζS-ζC|≦20mV)電位条件の下でガラス基板を洗浄及び/又は搬送する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)