WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/042741    International Application No.:    PCT/JP2011/004781
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 29.08.2011
H04N 9/07 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
YOSHIDA, Shinji; (For US Only)
Inventors: YOSHIDA, Shinji;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg., 3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2010-215896 27.09.2010 JP
(JA) 固体撮像装置及び撮像装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a solid-state imaging device which can achieve a wide dynamic range without the aperture ratio being decreased and is capable of imaging even under high illumination. The solid-state imaging device has an imaging region (2A) in which pixel sections formed on the surface of a semiconductor substrate (20) are arranged in a two-dimensional manner. The imaging region (2A) comprises, as arrangement units, pixel blocks comprising two rows and two columns of the pixel sections. These pixel blocks comprise red pixels (11R) that detect a red-colour signal, blue pixels (11B) that detect a blue-colour signal, white pixels (11W1) that detect a first brightness signal, and white pixels (11W2) that detect a second brightness signal. An optical attenuation filter that decreases the optical transparency of a visible light region is provided in the upper section of the light-receiving face of the white pixels (11W2).
(FR)L'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui peut assurer une large gamme dynamique sans que le rapport d'ouverture ne soit réduit et est capable de réaliser une imagerie même sous fort éclairement. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteur comprend une région d'imagerie (2A) dans laquelle des sections de pixel formées sur la surface d'un substrat semi-conducteur (20) sont agencées d'une manière bidimensionnelle. La région d'imagerie (2A) comprend, à titre d'unités d'agencement, des blocs de pixels comprenant deux rangées et deux colonnes des sections de pixel. Ces blocs de pixels comprennent des pixels rouges (11R) qui détectent un signal de couleur rouge, des pixels bleus (11B) qui détectent un signal de couleur bleue, des pixels blancs (11W1) qui détectent un premier signal de luminosité, et des pixels blancs (11W2) qui détectent un second signal de luminosité. Un filtre d'atténuation optique qui réduit la transparence optique d'une région de lumière visible est placé dans la section supérieure de la face réceptrice de lumière des pixels blancs (11W2).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)