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1. (WO2012042685) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT SOURCE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/042685    International Application No.:    PCT/JP2011/000444
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 27.01.2011
IPC:
H01S 5/022 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMANAKA, Kazuhiko; (For US Only).
SAMONJI, Katsuya; (For US Only).
YOSHIDA, Shinji; (For US Only).
HAGINO, Hiroyuki; (For US Only)
Inventors: YAMANAKA, Kazuhiko; .
SAMONJI, Katsuya; .
YOSHIDA, Shinji; .
HAGINO, Hiroyuki;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Priority Data:
2010-222020 30.09.2010 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT SOURCE DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF DE SOURCE LUMINEUSE
(JA) 半導体発光装置及び光源装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor light emitting device (1) comprises: a semiconductor light emitting element (3); a package (10) that holds the semiconductor light emitting element (3); and a metal cover (21) that is affixed to the package (10) and encapsulates the semiconductor light emitting element (3). The package (10) has: a base (11); and a welding stage (12), which is formed on a main surface of the base (11), and onto which the metal cover (21) is resistance welded. The heat conductivity of a first metal material that constitutes the base (11) is higher than the heat conductivity of a second metal material that constitutes the metal cover (21). The heat conductivity difference between the base (11) and the welding stage (12) is smaller than the heat conductivity difference between the base (11) and the metal cover (21).
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent (1) comportant: un élément électroluminescent à semi-conducteurs (3); un boîtier (10) qui renferme l'élément électroluminescent (3) ; et un couvercle métallique (21) qui est fixé au boîtier (10) et encapsule l'élément électroluminescent à semi-conducteurs (3). Le boîtier (10) comprend: un socle (11) ; et un étage de soudage (12), qui est formé sur la surface principale du socle (11), et sur lequel le couvercle métallique (21) est soudé par résistance. La conductivité thermique d'un premier matériau métallique qui constitue le socle (11) est supérieure à la conductivité thermique d'un second matériau métallique qui constitue le couvercle métallique (21). La différence de conductivité thermique entre le socle (11) et l'étage de soudage (12) est inférieure à la différence de conductivité thermique entre le socle (11) et le couvercle métallique (21).
(JA) 半導体発光装置(1)は、半導体発光素子(3)と、該半導体発光素子(3)を保持するパッケージ(10)と、該パッケージ(10)に固着され、半導体発光素子(3)を封止する金属カバー(21)とを備えている。パッケージ(10)は、基台(11)と、該基台(11)の主面上に形成され、金属カバー(21)を抵抗溶接する溶接台(12)とを有している。基台(11)を構成する第1の金属材料の熱伝導率は、金属カバー(21)を構成する第2の金属材料の熱伝導率よりも大きく、基台(11)と溶接台(12)との熱伝導率の差は、基台(11)と金属カバー(21)との熱伝導率の差よりも小さい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)