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1. (WO2012041232) FABRICATION METHOD OF METAL GATES FOR GATE-LAST PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/041232    International Application No.:    PCT/CN2011/080300
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 28.09.2011
IPC:
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road Chaoyang District, Beijing 100029 (CN) (For All Designated States Except US).
XIANG, Jinjuan [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Wenwu [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: XIANG, Jinjuan; (CN).
WANG, Wenwu; (CN)
Agent: UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No. 22, Jian Guo Men Wai Ave. Chao Yang District, Beijing 100004 (CN)
Priority Data:
201010500383.0 29.09.2010 CN
Title (EN) FABRICATION METHOD OF METAL GATES FOR GATE-LAST PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GRILLES MÉTALLIQUES POUR PROCÉDÉ DE DERNIÈRE GRILLE
(ZH) 后栅工艺中金属栅的制作方法
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating metal gates using a gate-last process, comprising: providing a substrate (20), the substrate comprising a gate trench (30); performing at least one metal layer deposition and one annealing on the surface of the substrate to fill a metal layer (32) in the gate trench; and removing the metal layer outside of the gate trench. This method can reduce the parasitic resistance of the gates and improve the reliability of the transistors.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour fabriquer des grilles métalliques en utilisant un procédé de dernière grille. Ledit procédé de fabrication de grille consiste : à fournir un substrat (20), le substrat comprenant une tranchée de grille (30) ; à réaliser au moins un dépôt de couche métallique et un recuit sur la surface du substrat pour réaliser un remplissage avec une couche métallique (32) dans la tranchée de grille ; et à éliminer la couche métallique à l'extérieur de la tranchée de grille. Ce procédé permet de réduire la résistance parasite des grilles et d'optimiser la fiabilité des transistors.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)