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1. (WO2012040986) PLASMA PROCESSING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/040986    International Application No.:    PCT/CN2010/080121
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 22.12.2010
IPC:
H01J 37/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01)
Applicants: BEIJING NMC CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176 (CN) (For All Designated States Except US).
CHEN, Peng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHAO, Mengxin [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WEI, Gang [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Liang [CN/CN]; (CN) (For US Only).
YANG, Bai [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WU, Guilong [CN/CN]; (CN) (For US Only).
DING, Peijun [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: CHEN, Peng; (CN).
ZHAO, Mengxin; (CN).
WEI, Gang; (CN).
ZHANG, Liang; (CN).
YANG, Bai; (CN).
WU, Guilong; (CN).
DING, Peijun; (CN)
Agent: TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue Dongcheng District, Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
201010294210.8 27.09.2010 CN
Title (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(ZH) 等离子体加工设备
Abstract: front page image
(EN)A plasma processing apparatus includes a chamber (20) and a target (25) on the chamber (20). The surface of the target (25) is contacted with the processing area of the chamber (20). The chamber (20) includes an insulating sub-chamber (21) and a first conduction sub-chamber (22), which are superposed. The first conduction sub-chamber (22) is provided under the insulating sub-chamber (21). The insulating sub-chamber (21) is made of insulating material, and the first conduction sub-chamber (22) is made of metal material. A Faraday shield component (10) which is made of metal material or insulating material electroplated with conductive coatings and includes at least one slit is provided in the insulating sub-chamber (21). An inductance coil (13) surrounds the exterior of the insulating sub-chamber (21). The problem about the wafer contamination due to particles formed in the surface of the coil during the sputtering process can be resolved by using the plasma processing apparatus.
(FR)La présente invention a trait à un appareil de traitement par plasma qui inclut une chambre (20) et une cible (25) sur la chambre (20). La surface de la cible (25) est en contact avec la zone de traitement de la chambre (20). La chambre (20) inclut une chambre secondaire isolante (21) et une chambre secondaire de première conduction (22), qui sont superposées. La chambre secondaire de première conduction (22) est prévue sous la chambre secondaire isolante (21). La chambre secondaire isolante (21) est constituée d'un matériau isolant et la chambre secondaire de première conduction (22) est constituée d'un matériau métallique. Un composant de blindage de Faraday (10) qui est constitué d'un matériau métallique ou d'un matériau isolant à revêtement électrolytique ayant des revêtements conducteurs et qui inclut au moins une fente est prévu dans la chambre secondaire isolante (21). Une bobine d'induction (13) entoure la partie extérieure de la chambre secondaire isolante (21). Le problème relatif à la contamination de la tranche due aux particules formées dans la surface de la bobine au cours du processus de pulvérisation peut être résolu à l'aide de l'appareil de traitement par plasma.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)