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1. (WO2011163161) P-DOPING OF CDTE POLYCRYSTALLINE THIN FILM BASED ON CD VACANCY THEORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/163161    International Application No.:    PCT/US2011/041151
Publication Date: 29.12.2011 International Filing Date: 21.06.2011
IPC:
H01L 31/00 (2006.01)
Applicants: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 323 Dr. Martin Luther King Jr. Blvd. University Heights Newark, NJ 07102-1982 (US) (For All Designated States Except US).
CHIN, Ken, K. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHIN, Ken, K.; (US)
Agent: NABULSI, Basam, E.; McCarter & English, LLP Canterbury Green 201 Broad Street Stamford, CT 06901 (US)
Priority Data:
61/357,058 21.06.2010 US
Title (EN) P-DOPING OF CDTE POLYCRYSTALLINE THIN FILM BASED ON CD VACANCY THEORY
(FR) DOPAGE DE TYPE P DE COUCHE MINCE POLYCRISTALLINE DE CDTE FONDÉ SUR LA THÉORIE DES LACUNES DANS LE CD
Abstract: front page image
(EN)Exemplary embodiments of the present disclosure are directed to improve p-type doping (p-doping) of cadmium telluride (CdTe) for CdTe-based solar cells, such as cadmium Sulfide (Cds)/CdTe solar cells. Embodiments can achieve improved p-doping of CdTe by creating a high density of cadmium (Cd) vacancies (VCd) and subsequently substituting a high density of substitutional defects and/or defect complexes for the Cd vacancies that were created. Formation of a high density of substitutional defects and defect complexes as a p-dopant can improve light-to-electricity conversion efficiency, doping levels or hole concentrations, junction band bending, and/or ohmic contact associated with p-type CdTe (p-CdTe) based solar cells.
(FR)Selon des modes de réalisation cités à titre d'exemple, cette invention concerne l'amélioration du dopage de type p (dopage-p) du tellurure de cadmium (CdTe) pour des cellules solaires à base de CdTe, telles que des cellules solaires à base de sulfure de cadmium/CdTe. Les modes de réalisation de l'invention permettent de réaliser un dopage de type p amélioré du CdTe en formant une haute densité de lacunes (VCd) de cadmium (Cd) et en substituant par la suite une haute densité de défauts de substitution et/ou de complexes de défauts aux lacunes de Cd créées. La formation d'une haute densité de défauts de substitution et de complexes de défauts en tant que dopant de type p peut améliorer l'efficacité de conversion photoélectrique, les effets dopants ou les concentrations de trous, la courbure des bandes de jonction, et/ou le contact ohmique associé aux cellules solaires à base de CdTe de type p (CdTe-p).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)