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1. (WO2011162806) HIGH ENERGY STORAGE CAPACITOR BY EMBEDDING TUNNELING NANO-STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/162806    International Application No.:    PCT/US2011/001106
Publication Date: 29.12.2011 International Filing Date: 21.06.2011
IPC:
H01G 9/02 (2006.01), H01G 9/048 (2006.01)
Applicants: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY [US/US]; 1705 El Camino Real Palo Alto, CA 94306-1106 (US) (For All Designated States Except US).
HOLME, Timothy, P. [US/US]; (US) (For US Only).
PRINZ, Friedrich, B. [AT/US]; (US) (For US Only).
VAN STOCKUM, Philip, B. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: HOLME, Timothy, P.; (US).
PRINZ, Friedrich, B.; (US).
VAN STOCKUM, Philip, B.; (US)
Agent: JACOBS, Ron; 550 S. California Avenue, Suite 300 Palo Alto, CA 94306 (US)
Priority Data:
12/928,346 09.12.2010 US
61/398,492 24.06.2010 US
61/399,574 13.07.2010 US
Title (EN) HIGH ENERGY STORAGE CAPACITOR BY EMBEDDING TUNNELING NANO-STRUCTURES
(FR) CONDENSATEUR À CAPACITÉ ÉLEVÉE DE STOCKAGE D'ÉNERGIE INTÉGRANT DES NANOSTRUCTURES DE TUNNELAGE
Abstract: front page image
(EN)In an All-Electron Battery (AEB), inclusions embedded in an active region between two electrodes of a capacitor provide enhanced energy storage. Electrons can tunnel to/from and/or between the inclusions, thereby increasing the charge storage density relative to. a conventional capacitor. One or more barrier layers is present in an AEB to block DC current flow through the device. The AEB effect can be enhanced by using multi-layer active regions having inclusion layers with the inclusions separated by spacer layers that don't have the inclusions. The use of cylindrical geometry or wrap around electrodes and/or barrier layers in a planar geometry can enhance the basic AEB effect. Other physical effects that can be employed in connection with the AEB effect are excited state energy storage, and formation of a Bose-Einstein condensate (BEC).
(FR)L'invention concerne un accumulateur entièrement électronique (AEB) dans lequel des inclusions noyées dans une région active entre deux électrodes d'un condensateur assurent un stockage amélioré de l'énergie. Des électrons peuvent transiter à destination/en provenance des inclusions et/ou entre elles, ce qui augmente la densité de stockage de charge par rapport à un condensateur conventionnel. Une ou plusieurs couches barrières sont présentes dans un accumulateur AEB pour intercepter le flux de courant continu dans le dispositif. L'effet AEB peut être amplifié en utilisant des régions actives à couches multiples comportant des couches d'inclusions, les inclusions étant séparées par des couches d'écartement qui ne comportent pas d'inclusions. L'utilisation d'électrodes et/ou de couches barrières à géométrie cylindrique ou enroulée dans une géométrie plane permet d'améliorer l'effet AEB de base. D'autres effets physiques qui peuvent être utilisés dans le contexte de l'effet AEB sont le stockage d'énergie dans un état excité et la formation d'un condensat de Bose-Einstein (BEC).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)