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1. (WO2011162770) INTEGRATED PROCESSING AND CRITICAL POINT DRYING SYSTEMS FOR SEMICONDUCTOR AND MEMS DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/162770    International Application No.:    PCT/US2010/039980
Publication Date: 29.12.2011 International Filing Date: 25.06.2010
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: TOUSIMIS, Anastasios, J. [US/US]; (US)
Inventors: TOUSIMIS, Anastasios, J.; (US)
Agent: ROSENBERGER, Frederick, F.; Miles & Stockbridge P.C. 1751 Pinnacle Drive, Suite 500 Mclean, VA 22102-3833 (US)
Priority Data:
Title (EN) INTEGRATED PROCESSING AND CRITICAL POINT DRYING SYSTEMS FOR SEMICONDUCTOR AND MEMS DEVICES
(FR) SYSTÈMES INTÉGRÉS DE TRAITEMENT ET SÉCHAGE AU POINT CRITIQUE POUR DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS OU MEMS
Abstract: front page image
(EN)Processing and drying of a sample, such as a semiconductor or MEMS device, is achieved using a single pressure chamber. The pressure chamber holds the sample in a sealed interior volume throughout various process steps, such as, but not limited to, photoresist removal, sacrificial layer etching, flushing or rinsing, dehydration, and critical point drying. The pressure chamber is constructed of a chemically-resistant and pressure-resistant material to withstand the various chemicals and pressures that are encountered in the various process and drying steps. For example, the pressure chamber is constructed from a nickel-copper alloy. Automated release etching and critical point drying of a MEMS or semiconductor device is provided without removing the device from the sealed pressure chamber.
(FR)L'invention concerne le traitement et le séchage d'un échantillon tel qu'un dispositif semi-conducteur ou MEMS utilisant une seule chambre sous pression. Ladite chambre sous pression contient l'échantillon dans un volume intérieur scellé pendant les diverses étapes de traitement qui incluent, sans s'y limiter, le retrait de la résine photosensible, la gravure de la couche sacrificielle, le lavage ou le rinçage, la déshydratation, et le séchage au point critique. La chambre sous pression est construite dans un matériau résistant aux substances chimiques et à la pression pour supporter les diverses substances chimiques et les différentes pressions rencontrées dans les diverses étapes de traitement et de séchage. Par exemple, la chambre sous pression est construite dans un alliage nickel-cuivre. La gravure et le séchage au point critique automatisés d'un dispositif MEMS ou semi-conducteur peuvent être réalisés sans retirer le dispositif de la chambre sous pression scellée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)