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1. (WO2011162372) PHOTOCATALYST MATERIAL AND PHOTOCATALYST DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/162372    International Application No.:    PCT/JP2011/064534
Publication Date: 29.12.2011 International Filing Date: 24.06.2011
Chapter 2 Demand Filed:    19.01.2012    
IPC:
B01J 27/24 (2006.01), B01J 35/02 (2006.01), C01B 3/04 (2006.01)
Applicants: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KYOTO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 1, Matsugasaki Hashikami-cho, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068585 (JP) (For All Designated States Except US).
SONODA, Saki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWASAKI, Osamu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATO, Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKENAGA, Mutsuo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SONODA, Saki; (JP).
KAWASAKI, Osamu; (JP).
KATO, Junichi; (JP).
TAKENAGA, Mutsuo; (JP)
Agent: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
2010-145138 25.06.2010 JP
Title (EN) PHOTOCATALYST MATERIAL AND PHOTOCATALYST DEVICE
(FR) MATÉRIAU PHOTOCATALYSEUR ET DISPOSITIF PHOTOCATALYSEUR
(JA) 光触媒材料および光触媒装置
Abstract: front page image
(EN)Provided are a photocatalyst material and photocatalyst device capable of efficiently producing hydrogen from water through solar radiation. The photocatalyst material comprises a nitride-compound semiconductor in which some of the Ga and/or Al have been replaced with a 3d transition metal, has one or more impurity bands, and the nitride-compound semiconductor has a photo-absorption coefficient in the entire wavelength range between 300nm and 1500nm that is equal to or greater than 1000cm-1. The material satisfies the following conditions: the energy level of the conductor base is more negative than the redox potential of H+/H2; and the energy level of the top of the valence band is more positive than the redox potential of O2/H20. There is very little or no degradation in the material when photoirradiated underwater.
(FR)L'invention concerne un matériau photocatalyseur et un dispositif photocatalyseur pouvant produire de manière efficace de l'hydrogène à partir de l'eau par rayonnement solaire. Le matériau photocatalyseur comprend un semi-conducteur à composé de nitrure dans lequel une partie de Ga et/ou de Al a été remplacée par un métal de transition 3d, possède une ou plusieurs bandes d'impuretés, et le semi-conducteur à composé de nitrure présente un coefficient de photo-absorption dans la totalité de sa longueur d'onde dans une plage comprise entre 300nm et 1500nm qui est égale ou supérieure à 1000cm-1. Le matériau répond aux conditions suivantes : le taux d'énergie de la base du conducteur est plus négatif que le potentiel redox de H+/H2; et le taux d'énergie de la partie supérieure de la bande de valence est plus positif que le potentiel redox de O2/H20. Le matériau présente très peu ou pas de dégradation lorsqu'il subit une photo-irradiation sous l'eau.
(JA) 太陽光照射により水から水素を高効率で発生させることの可能な光触媒材料および光触媒装置を提供する。本発明の光触媒材料は、Gaおよび/またはAlの一部が3d遷移金属で置換された窒化物系化合物半導体からなり、1以上の不純物バンドを有するものであり、波長領域1500nm以下、300nm以上の全波長領域における光吸収係数が1000cm-1以上である窒化物系化合物半導体を含むものである。また、伝導体の底のエネルギー準位がH/Hの酸化還元電位よりも負であり、価電子帯の上端のエネルギー準位がO/HOの酸化還元電位よりも正であるという条件を満たし、水中で光照射下しても材料劣化がないか極めて少ない。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)