WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2011162261) SUCTION APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBSERVATION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBSERVATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/162261    International Application No.:    PCT/JP2011/064172
Publication Date: 29.12.2011 International Filing Date: 21.06.2011
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (For All Designated States Except US).
TERADA Hirotoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUURA Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TERADA Hirotoshi; (JP).
MATSUURA Hiroyuki; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2010-142868 23.06.2010 JP
Title (EN) SUCTION APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBSERVATION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBSERVATION METHOD
(FR) APPAREIL D'ASPIRATION, ET DISPOSITIF ET PROCÉDÉ POUR L'OBSERVATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固浸レンズを吸着する吸着器を用いる半導体デバイスの観察方法
Abstract: front page image
(EN)A suction apparatus (10) is provided with: a main body which has a first surface (13) on which a semiconductor wafer (W) with a semiconductor device (D) is placed, and a second surface (14) on the side opposite of the first surface (13), wherein a through-hole (15) penetrates the first surface (13) and the second surface (14); and a light transmitting unit which, fitted into the through-hole (15), has a light incident surface (16) into which light from the semiconductor device (D) enters and a light-emitting surface (17) from which said light incident from the light incident surface (16) is emitted. Also, formed on the first surface (13) are first suction grooves (13a) which apply vacuum suction on the semiconductor wafer (W) to fix the semiconductor device (D) to the light incident surface (16); formed on the second surface (14) are second suction grooves (14a) which apply vacuum suction on a solid immersion lens (S) to fix the same to the light-emitting surface (17).
(FR)L'invention concerne un appareil d'aspiration (10) qui comprend un corps principal comportant une première surface (13) sur laquelle est placée une plaquette semi-conductrice (W) avec un dispositif semi-conducteur (D), et une deuxième surface (14) à l'opposé de la première surface (13), un trou traversant (15) pénétrant dans la première surface (13) et la deuxième surface (14) ; et une unité de transmission de la lumière placée dans le trou traversant (15) qui comporte une surface d'incidence de lumière (16) dans laquelle pénètre la lumière provenant du dispositif semi-conducteur (D) et une surface d'émission de lumière (17) depuis laquelle ladite lumière incidente provenant de la surface d'incidence de lumière (16) est émise. De plus, des premiers sillons d'aspiration (13a) sont formés sur la première surface (13), lesquels appliquent un vide à la plaquette semi-conductrice (W) pour fixer le dispositif semi-conducteur (D) à la surface d'incidence de lumière (16), et des deuxièmes sillons d'aspiration (14a) sont formés sur la deuxième surface (14), lesquels appliquent un vide à une lentille à immersion solide (S) pour fixer celle-ci à la surface d'émission de lumière (17).
(JA) 吸着器10は、半導体デバイスDが形成された半導体ウエハWが配置される第1の面13と、第1の面13の反対側の面である第2の面14とを有し、第1の面13と第2の面14とを貫通する貫通孔15が形成された本体部と、半導体デバイスDからの光が入射される光入射面16と、光入射面16から入射した光が出射される光出射面17とを有し、貫通孔15に嵌合された光透過部と、を備える。そして、第1の面13には、半導体ウエハWを真空吸着して半導体デバイスDを光入射面16に固定するための第1の吸着溝13aが形成されており、第2の面14には、固浸レンズSを真空吸着して光出射面17に固定するための第2の吸着溝14aが形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)