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1. (WO2011162127) ULTRAVIOLET SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING ULTRAVIOLET SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/162127    International Application No.:    PCT/JP2011/063581
Publication Date: 29.12.2011 International Filing Date: 14.06.2011
IPC:
H01L 31/10 (2006.01)
Applicants: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1,Higashikotari 1-chome,Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAMURA Kazutaka [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAMURA Kazutaka; (JP)
Agent: KUNIHIRO Yasutoshi; 10F, Samty shinosaka front Bldg., 14-10, Nishinakajima 5-chome, Yodogawaku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2010-140464 21.06.2010 JP
Title (EN) ULTRAVIOLET SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING ULTRAVIOLET SENSOR
(FR) CAPTEUR DE RAYONNEMENT ULTRAVIOLET ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 紫外線センサ、及び紫外線センサの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an ultraviolet sensor which comprises: a p-type semiconductor layer (1) that contains a solid solution of NiO and ZnO as a main component; and an n-type semiconductor layer (2) that contains ZnO as a main component and is joined to the p-type semiconductor layer (1) such that a part of the surface of the p-type semiconductor layer (1) is exposed. The p-type semiconductor layer (1) contains trivalent Ni in the crystal grains in the form of a solid solution with the above-described main component. The trivalent Ni can be contained in the crystal grains of the p-type semiconductor layer (1) by adding NiOOH to NiO and ZnO and then firing the resulting mixture. Consequently, there can be obtained a small-sized low-cost ultraviolet sensor which does not require peripheral circuits and is capable of easily sensing the ultraviolet intensity by means of photovoltaic power.
(FR)L'invention concerne un capteur de rayonnement ultraviolet qui comprend : une couche de semi-conducteur de type p (1) qui contient une solution solide de NiO et ZnO comme composant principal ; et une couche de semi-conducteur de type n (2) qui contient du ZnO comme composant principal et qui est assemblée à la couche de semi-conducteur de type p (1) de telle sorte qu'une partie de la surface de la couche de semi-conducteur de type p (1) est exposée. La couche de semi-conducteur de type p (1) contient du nickel trivalent dans les grains cristallins sous la forme d'une solution solide avec le composant principal susmentionné. Le nickel trivalent peut être introduit dans les grains cristallins de la couche de semi-conducteur de type p (1) en ajoutant du NiOOH au NiO et ZnO puis en cuisant le mélange résultant. On peut ainsi obtenir un capteur de rayonnement ultraviolet de petite taille et bon marché qui ne nécessite pas de circuits périphériques, et qui est capable de détecter facilement l'intensité d'un rayonnement ultraviolet au moyen de l'énergie photovoltaïque.
(JA) NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層1と、ZnOを主成分としかつp型半導体層1の表面の一部が露出した形態でp型半導体層1に接合されたn型半導体層2とを有している。p型半導体層1には3価のNiが前記主成分と固溶した状態で結晶粒子中に含有されている。3価のNiは、NiO及びZnOにNiOOHを添加し、その後焼成することにより、p型半導体層1の結晶粒子中に含有させることができる。これにより周辺回路を必要とせず、紫外線強度を光起電力により容易に検出することができる安価で小型化が可能な紫外線センサを実現する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)