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1. (WO2011160477) STRAINED-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/160477    International Application No.:    PCT/CN2011/072064
Publication Date: 29.12.2011 International Filing Date: 23.03.2011
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No. 5 Yiheyuan Road, Haidian District Beijing 100871 (CN) (For All Designated States Except US).
HUANG, Ru [CN/CN]; (CN) (For US Only).
YUN, Quanxin [CN/CN]; (CN) (For US Only).
AN, Xia [CN/CN]; (CN) (For US Only).
AI, Yujie [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Xing [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: HUANG, Ru; (CN).
YUN, Quanxin; (CN).
AN, Xia; (CN).
AI, Yujie; (CN).
ZHANG, Xing; (CN)
Agent: BEIJING JOYSHINE INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 1316-1317, Left Bank Community Building No. 68 Beisihuanxilu Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Priority Data:
201010219179.1 25.06.2010 CN
Title (EN) STRAINED-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À CANAL CONTRAINT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)A strained-channel field-effect transistor and a manufacturing method thereof are provided. The transistor includes a substrate (14), source/drain regions (15, 16), a channel, a gate dielectric layer (17), and a gate (18), wherein L-shaped composite isolation layers are arranged between the source/drain regions and the substrate, and covering the bottoms of the source/drain regions and a part of the side faces of the source/drain regions adjacent to the channel, and each of the L-shaped composite isolation layers is composed of an L-shaped thin isolation layer (20) contacting with the substrate directly, and an L-shaped high stress layer (21) contacting with the source or drain region directly. Since the high stress layer can induce strain in the channel, the carrier mobility of the transistor can be increased. At the same time, since the thin isolation layer can prevent a leakage current to the channel, the ability of suppressing the short-channel effect is improved.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ à canal contraint et son procédé de fabrication. Le transistor comprend un substrat (14), des régions de source/drain (15, 16), un canal, une couche de diélectrique de grille (17) et une grille (18). Des couches isolantes composites en forme de L sont disposées entre les régions de source/drain et le substrat, et recouvrent le fond des régions de source/drain et une partie des faces latérales des régions de source/drain adjacentes au canal. Chaque couche isolante composite en forme de L se compose d'une couche mince isolante en forme de L (20) en contact direct avec le substrat, et d'une couche fortement contrainte en forme de L (21) en contact direct avec la région de source ou de drain. Comme la couche fortement contrainte peut induire une déformation dans le canal, la mobilité des porteurs du transistor peut être augmentée. Dans le même temps, comme la couche mince isolante peut empêcher un courant de fuite vers le canal, la capacité à supprimer l'effet de canal court est améliorée.
(ZH)摘要本发明公开了一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底、源漏、栅介质层和栅极,其特征在于,所述源漏与衬底之间有"L"形的复合隔离层,包住源漏靠近沟道一边的部分侧面和源漏底部,该复合隔离层又分为两层,即与衬底直接接触的"L"形绝缘薄层和与源漏直接接触的"L"形高应力层。该结构的场效应晶体管通过高应力层在沟道中引入应力,提高了载流子的迁移率,同时从根本上改善了场效应晶体管的器件结构,提升了器件的短沟效应抑制能力。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)