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1. (WO2011160424) GRID-CONTROL PN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND CONTROLLING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/160424    International Application No.:    PCT/CN2011/000872
Publication Date: 29.12.2011 International Filing Date: 19.05.2011
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Applicants: FUDAN UNIVERSITY [CN/CN]; Handan Road 220 Shanghai 200433 (CN) (For All Designated States Except US).
WANG, Pengfei [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZANG, Songgan [CN/CN]; (CN) (For US Only).
SUN, Qingqing [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Wei [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: WANG, Pengfei; (CN).
ZANG, Songgan; (CN).
SUN, Qingqing; (CN).
ZHANG, Wei; (CN)
Agent: CHINA TRADEMARK & PATENT LAW OFFICE CO., LTD.; 14, Yuetan Nanjie, Yuexin Bldg. Xicheng District, Beijing 100045 (CN)
Priority Data:
201010209299.3 24.06.2010 CN
Title (EN) GRID-CONTROL PN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND CONTROLLING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP PN DE COMMANDE DE RÉSEAU, AINSI QUE SON PROCÉDÉ DE COMMANDE
(ZH) 一种栅控PN场效应晶体管及其控制方法
Abstract: front page image
(EN)A grid-control positive-negative (PN) field effect transistor (200) is provided. The grid-control PN field effect transistor (200) includes a semiconductor substrate region (203), a source region (201) and a drain region (202) located on a left side and a right side of the substrate region (203), grid regions (206,207) located on an upper side and a lower side of the substrate region (203). The grid-control PN field effect transistor (200) reduces leak current and simultaneously increases driving current, thus increases chip performance without increasing power consumption of the chip. A controlling method of the grid-control PN field effect transistor (200) is also provided.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ positif-négatif (PN) de commande de réseau (200). Le transistor à effet de champ PN de commande de réseau (200) comprend une région de substrat semiconducteur (203), une région de source (201) et une région de drain (202) situées sur un côté gauche et un côté droit de la région de substrat (203), des régions de grille (206, 207) situées sur une face supérieure et une face inférieure de la région de substrat (203). Le transistor à effet de champ PN de commande de réseau (200) réduit le courant de fuite et simultanément augmente le courant d'attaque, ce qui améliore les performances de la puce sans augmenter sa consommation électrique. L'invention concerne en outre un procédé de commande du transistor à effet de champ PN de commande de réseau (200).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)