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1. (WO2011160130) HIGH SPEED PHOTOSENSITIVE DEVICES AND ASSOCIATED METHODS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/160130    International Application No.:    PCT/US2011/041108
Publication Date: 22.12.2011 International Filing Date: 20.06.2011
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SIONYX, INC [US/US]; 100 Cummings Ctr., 243-f Beverly, MA 01915-6506 (US) (For All Designated States Except US).
CAREY, James [US/US]; (US) (For US Only).
MILLER, Drake [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CAREY, James; (US).
MILLER, Drake; (US)
Agent: ALDER, Todd, B.; THORPE NORTH & WESTERN, LLP P.O. Box 1219 Sandy, UT 84091-1219 (US)
Priority Data:
61/356,536 18.06.2010 US
Title (EN) HIGH SPEED PHOTOSENSITIVE DEVICES AND ASSOCIATED METHODS
(FR) DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES À GRANDE VITESSE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abstract: front page image
(EN)High speed optoelectronic devices and associated methods are provided. In one aspect, for example, a high speed optoelectronic device can include a silicon material having an incident light surface, a first doped region and a second doped region forming a semiconductive junction in the silicon material, and a textured region coupled to the silicon material and positioned to interact with electromagnetic radiation. The optoelectronic device has a response time of from about 1 picosecond to about 5 nanoseconds and a responsivity of greater than or equal to about 0.4 A/W for electromagnetic radiation having at least one wavelength from about 800 nm to about 1200 nm.
(FR)L'invention concerne des dispositifs optoélectroniques à grande vitesse et les procédés associés. Dans un aspect, par exemple, un dispositif optoélectronique à grande vitesse peut comprendre un matériau de silicium présentant une surface de lumière incidente, une première zone dopée et une seconde zone dopée formant une jonction semi-conductrice dans le matériau de silicium, et une zone de texture couplée au matériau de silicium et positionnée pour interagir avec un rayonnement électromagnétique. Le dispositif optoélectronique a un temps de réponse compris entre environ 1 picoseconde et environ 5 nanosecondes et une sensibilité supérieure ou égale à 0,4 A/W pour un rayonnement électromagnétique dont au moins une longueur d'onde est comprise entre environ 800 nm et 1200 nm.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)