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1. (WO2011160051) NANOWIRE LED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/160051    International Application No.:    PCT/US2011/040932
Publication Date: 22.12.2011 International Filing Date: 17.06.2011
IPC:
H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), B82B 3/00 (2006.01)
Applicants: GLO AB [SE/SE]; Ideon Science Park Scheelevägen 17 S-223 70 Lund (SE) (For All Designated States Except US).
LÖWGREN, Truls [SE/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LÖWGREN, Truls; (US)
Agent: RADOMSKY, Leon; The Marbury Law Group, PLLC 11800 Sunrise Valley Drive 15th Floor Reston, Virginia 20191 (US)
Priority Data:
61/356,167 18.06.2010 US
Title (EN) NANOWIRE LED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) STRUCTURE À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES DE NANOFILS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abstract: front page image
(EN)A light emitting diode (LED) structure includes a plurality of devices arranged side by side on a support layer. Each device includes a first conductivity type semiconductor nanowire core and an enclosing second conductivity type semiconductor shell for forming a pn or pin junction that in operation provides an active region for light generation. A first electrode layer extends over the plurality of devices and is in electrical contact with at least a top portion of the devices to connect to the shell. The first electrode layer is at least partly air-bridged between the devices.
(FR)La présente invention a trait à une structure à diodes électroluminescentes qui inclut une pluralité de dispositifs disposés côte à côte sur une couche de support. Chaque dispositif inclut un noyau de nanofil semi-conducteur doté d'un premier type de conductivité et une enveloppe semi-conductrice dotée d'un second type de conductivité pour former une jonction PN ou de broche qui, en fonctionnement, fournit une zone active pour la production de lumière. Une première couche d'électrode s'étend au-dessus de la pluralité de dispositifs et est en contact électrique avec au moins une partie supérieure des dispositifs de manière à être connectée à l'enveloppe. La première couche d'électrode est au moins partiellement suspendue dans les airs entre les dispositifs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)