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1. (WO2011159582) MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT
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Pub. No.: WO/2011/159582 International Application No.: PCT/US2011/040104
Publication Date: 22.12.2011 International Filing Date: 10.06.2011
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45
Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants:
SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035, US (AllExceptUS)
KREUPL, Franz [US/US]; US (UsOnly)
SHRIVASTAVA, Ritu [US/US]; US (UsOnly)
Inventors:
KREUPL, Franz; US
SHRIVASTAVA, Ritu; US
Agent:
MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & Deniro, LLP 575 Market Street Suite 2500 San Francisco, CA 94105, US
Priority Data:
13/157,20009.06.2011US
61/356,32718.06.2010US
61/467,93625.03.2011US
Title (EN) MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE ET DISPOSITION LATÉRALE
Abstract:
(EN) A memory device in a 3-D read and write memory includes memory cells. Each memory cell includes a resistance-switching memory element (RSME). The RSME has first and second resistance-switching layers on either side of a conductive intermediate layer, and first and second electrodes at either end of the RSME. The layers can be provided in a lateral arrangement, such as an end-to-end, face-to-face, L-shaped or U-shaped arrangement. In a set or reset operation of the memory cell, an electric field is applied across the first and second electrodes. An ionic current flows in the resistance-switching layers, contributing to a switching mechanism. An electron flow, which does not contribute to the switching mechanism, is reduced due to scattering by the conductive intermediate layer, to avoid damage to the steering element.
(FR) La présente invention concerne une mémoire située dans une mémoire vive en 3D qui comprend des cellules de mémoire. Chaque cellule de mémoire comprend un élément de mémoire à commutation de résistance (RSME). Le RSME présente une première et une seconde couche à commutation de résistance de chaque côté d'une couche conductrice intermédiaire et une première et une seconde électrode à chaque extrémité du RSME. Les couches peuvent être fournies dans une disposition latérale comme une disposition bout à bout, face à face, en forme de L ou en forme de U. Dans une opération de réglage ou de remise à zéro de la cellule de mémoire, un champ électrique est appliqué à travers les première et seconde électrodes. Un courant ionique circule dans les couches à commutation de résistance, contribuant à un mécanisme de commutation. Un flux d'électrons, qui ne contribue pas au mécanisme de commutation, est réduit en raison de la diffusion par la couche conductrice intermédiaire, afin d'éviter d'endommager l'élément de direction.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP2583322CN102986048JP2013534722KR1020130036279