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1. (WO2011158534) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/158534    International Application No.:    PCT/JP2011/054333
Publication Date: 22.12.2011 International Filing Date: 25.02.2011
Chapter 2 Demand Filed:    24.06.2011    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
ITOH, Satomi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIOMI, Hiromu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAMIKAWA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WADA, Keiji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIMAZU, Mitsuru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIYOSHI, Toru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ITOH, Satomi; (JP).
SHIOMI, Hiromu; (JP).
NAMIKAWA, Yasuo; (JP).
WADA, Keiji; (JP).
SHIMAZU, Mitsuru; (JP).
HIYOSHI, Toru; (JP)
Agent: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2010-136872 16.06.2010 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a manufacturing method of a SiC semiconductor device having improved performance. The disclosed manufacturing method of a SiC semiconductor device involves the following steps. A SiC semiconductor is prepared having a first surface at least one part of which is injected with impurities (S1-S3). A second surface is formed by cleaning the first surface of the Sic semiconductor (S4). A film containing Si is formed on the second surface (S5). By oxidizing the film containing Si, an oxide film is formed which configures the SiC semiconductor device (S6).
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur au SiC qui présente des performances améliorées. Selon l'invention, le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur au SiC comprend les étapes suivantes. Un semi-conducteur au SiC est préparé, ledit semi-conducteur possédant une première surface dont une partie au moins reçoit une injection d'impuretés (S1-S3). Une seconde surface est formée en nettoyant la première surface du semi-conducteur au SiC (S4). Un film contenant du Si est formé sur la seconde surface (S5). En oxydant le film qui contient du Si, on forme un film d'oxyde qui configure le dispositif à semi-conducteur au SiC (S6).
(JA) 性能を向上できるSiC半導体装置の製造方法を提供する。SiC半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。少なくとも一部に不純物が注入された第1の表面を含むSiC半導体を準備する(S1~S3)。SiC半導体の第1の表面を洗浄することにより、第2の表面を形成する(S4)。第2の表面上にSiを含む膜を形成する(S5)。Siを含む膜を酸化することにより、SiC半導体装置を構成する酸化膜を形成する(S6)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)