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1. (WO2011158532) PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/158532    International Application No.:    PCT/JP2011/054307
Publication Date: 22.12.2011 International Filing Date: 25.02.2011
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
NISHIGUCHI, Taro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HARADA, Shin [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAKI, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NISHIGUCHI, Taro; (JP).
HARADA, Shin; (JP).
SASAKI, Makoto; (JP)
Agent: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2010-136209 15.06.2010 JP
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ D'ÉLABORATION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM, ET SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素基板
Abstract: front page image
(EN)Each of first and second material substrates (11, 12) both made from single crystalline silicon carbide has first and second back surfaces, first and second side surfaces, and first and second front surfaces. The first and second back surfaces are bound to a support (30). The first and second side surfaces face to each other through a gap having an opening between the first and second front surfaces. A sealing part (70) for sealing the gap is formed on the opening. A sublimated material from the first and second side surfaces is deposited on the sealing part (70) to form a bonding part (BDa) for sealing the opening. The sealing part (BDa) is removed. In this manner, silicon carbide single crystals can be grown on the first and second front surfaces.
(FR)Selon l'invention, un premier et un deuxième substrat (11, 12), tous deux constitués de carbure de silicium monocristallin, ont une première et une deuxième surface arrière, une première et une deuxième surface latérale, et une première et une deuxième surface avant. La première et la deuxième surface arrière sont assemblées à un support (30). La première et la deuxième surface latérale se font face à travers un interstice comportant une ouverture entre la première et la deuxième surface avant. Une partie de scellement (70) pour sceller l'interstice est formée sur l'ouverture. Un matériau sublimé à partir de la première et de la deuxième surface latérale est déposé sur la partie de scellement (70) pour former une partie de liaison (BDa) afin de sceller l'ouverture. La partie de scellement (70) est retirée. De cette manière, des monocristaux de carbure de silicium peuvent être élaborés sur la première et la deuxième surface avant.
(JA) 単結晶炭化珪素から作られた第1および第2の材料基板(11、12)のそれぞれは、第1および第2の裏面と、第1および第2の側面と、第1および第2の表面とを有する。第1および第2の裏面は支持部(30)に接合されている。第1および第2の側面は、第1および第2の表面の間に開口を有する隙間を介して互いに対向している。開口上で隙間を閉塞する閉塞部(70)が形成される。第1および第2の側面からの昇華物を閉塞部(70)上に堆積させることで、開口を塞ぐ接合部(BDa)が形成される。閉塞部(BDa)が除去される。第1および第2の表面の上に炭化珪素単結晶が成長させられる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)