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1. (WO2011157643) MASK FOR EUV LITHOGRAPHY, EUV LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPTIMISING THE IMAGING OF A MASK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/157643    International Application No.:    PCT/EP2011/059669
Publication Date: 22.12.2011 International Filing Date: 10.06.2011
IPC:
G03F 1/24 (2012.01)
Applicants: CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE) (For All Designated States Except US).
RUOFF, Johannes [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KRÄHMER, Daniel [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: RUOFF, Johannes; (DE).
KRÄHMER, Daniel; (DE)
Agent: KOHLER SCHMID MÖBUS; Ruppmannstrasse 27 70565 Stuttgart (DE)
Priority Data:
61/354,925 15.06.2010 US
Title (EN) MASK FOR EUV LITHOGRAPHY, EUV LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPTIMISING THE IMAGING OF A MASK
(FR) MASQUE POUR UNE LITHOGRAPHIE PAR ULTRAVIOLETS EXTRÊMES, SYSTÈME DE LITHOGRAPHIE PAR ULTRAVIOLETS EXTRÊMES ET PROCÉDÉ POUR OPTIMISER L'IMAGERIE D'UN MASQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a mask (105) for EUV lithography- comprising : a substrate (107), a multi-layer coating (108) applied to the substrate (107) and a mask structure (109) which is applied to the multi-layer coating (108) and which has an absorber material, the mask structure (109) having a maximum thickness of less than 100 nm, preferably not exceeding a maximum thickness of 30 nm, particularly preferably 20 nm, in particular 10 nm. The invention also relates to an EUV lithography system having such a mask (105) and a method for optimising the imaging of a mask (105).
(FR)L'invention concerne un masque (105) pour la lithographie par ultraviolets extrêmes comprenant : un substrat (107), un revêtement multicouche (108) appliqué sur le substrat (107) et une structure de masque (109) qui est appliquée sur le revêtement multicouche (108) et qui a un matériau absorbant, la structure de masque (109) ayant une épaisseur maximale inférieure à 100 nm, de préférence ne dépassant pas une épaisseur maximale de 30 nm, particulièrement de préférence 20 nm, tout particulièrement 10 nm. L'invention concerne également un système de lithographie par ultraviolets extrêmes ayant un tel masque (105) et un procédé pour optimiser l'imagerie d'un masque (105).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)