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1. (WO2011157420) METHOD FOR PRODUCING A METAL CONTACT STRUCTURE OF A PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/157420    International Application No.:    PCT/EP2011/002963
Publication Date: 22.12.2011 International Filing Date: 16.06.2011
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
BIRO, Daniel [DE/DE]; (DE) (For US Only).
THAIDIGSMANN, Benjamin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
CLEMENT, Florian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WOEHL, Robert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WOTKE, Edgar-Allan [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BIRO, Daniel; (DE).
THAIDIGSMANN, Benjamin; (DE).
CLEMENT, Florian; (DE).
WOEHL, Robert; (DE).
WOTKE, Edgar-Allan; (DE)
Agent: DICKER, Jochen; Lemcke, Brommer & Partner Bismarckstraße 16 76133 Karlsruhe (DE)
Priority Data:
10 2010 024 307.8 18.06.2010 DE
10 2011 101 083.5 10.05.2011 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER METALLISCHEN KONTAKTSTRUKTUR EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A METAL CONTACT STRUCTURE OF A PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE CONTACT MÉTALLIQUE D'UNE CELLULE SOLAIRE PHOTOVOLTAÏQUE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: Aufbringen einer elektrisch nichtleitenden Isolierungsschicht auf eine Oberfläche eines Halbleitersubstrates, und Aufbringen einer metallischen Kontaktschicht auf die Isolierungsschicht und Erzeugen mehrerer lokaler elektrisch leitender Verbindungen zwischen Halbleitersubstrat und Kontaktschicht durch die Isolierungsschicht. Die metallische Kontaktschicht wird mit zwei Metallpartikel enthaltenden Pasten ausgebildet: die erste Metallpartikel enthaltende Paste wird an mehreren lokalen Bereichen aufgebracht, und die zweite Metallpartikel enthaltende Paste wird flächig, zumindest die mit der ersten Paste bedeckten Bereiche sowie die dazwischen liegenden Bereiche zumindest teilweise bedeckend aufgebracht. Durch ein globales Erhitzen des Halbleitersubstrates durchdringt die erste Paste die Isolierungsschicht und bildet einen elektrisch leitenden Kontakt unmittelbar mit dem Halbleitersubstrat, wohingegen die zweite Paste die Isolierungsschicht nicht durchdringt und lediglich mittelbar über die erste Paste mit dem Halbleitersubstrat elektrisch leitend verbunden ist.
(EN)The invention relates to a method for producing a metal contact structure of a photovoltaic solar cell, comprising the following method steps: applying an electrically non-conductive insulating layer to a surface of a semiconductor substrate, applying a metal contact layer to the insulating layer, and generating a plurality of local electrically conductive connections between the semiconductor substrate and the contact layer right through the insulating layer. The metal contact layer is formed using two pastes containing metal particles: the first paste containing metal particles is applied to a plurality of local regions, and the second paste containing metal particles is applied in a planar manner, covering at least the regions covered with the first paste as well as at least partially the regions located therebetween. As a result of a global heating of the semiconductor substrate the first paste penetrates the insulating layer and forms an electrically conductive contact directly with the semiconductor substrate, whereas the second paste does not penetrate the insulating layer and is electrically conductively connected to the semiconductor substrate only indirectly via the first paste.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de contact métallique d'une cellule solaire photovoltaïque, comprenant les étapes suivantes: A appliquer une couche d'isolation électriquement non conductrice sur une surface d'un substrat semi-conducteur, éventuellement sur une ou plusieurs couches intermédiaires recouvrant cette surface, B appliquer une couche de contact métallique sur la couche d'isolation, éventuellement sur une ou plusieurs couches intermédiaires recouvrant la couche d'isolation, et créer plusieurs liaisons locales électriquement conductrices entre le substrat semi-conducteur et la couche de contact au travers de la couche d'isolation et éventuellement d'autres couches intermédiaires. L'invention est caractérisée en ce que, à l'étape B, la couche de contact métallique est formée selon les étapes de procédé suivantes : B1 une première pâte contenant des particules métalliques est appliquée sur plusieurs zones locales, B2 une deuxième pâte contenant des particules métalliques est appliquée en nappe recouvrant au moins partiellement au moins les zones couvertes par la première pâte et les zones intermédiaires, B3 le substrat semi-conducteur est chauffé lors d'une étape thermique, une première et une deuxième pâte et l'étape thermique ou les étapes thermiques suivant l'étape B1 étant conçues de telle sorte que la première pâte traverse la couche d'isolation et forme un contact électriquement conducteur directement avec le substrat semi-conducteur, la deuxième pâte ne traversant pas la couche d'isolation et étant électriquement reliée au substrat semi-conducteur seulement indirectement par l'intermédiaire de la première pâte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)