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1. (WO2011155479) ETCHING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/155479    International Application No.:    PCT/JP2011/063017
Publication Date: 15.12.2011 International Filing Date: 07.06.2011
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (For All Designated States Except US).
MORIKAWA, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIURA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIKAWA, Michio [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MORIKAWA, Yasuhiro; (JP).
MIURA, Yutaka; (JP).
ISHIKAWA, Michio; (JP)
Agent: ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome, Gifu-shi, Gifu 5008731 (JP)
Priority Data:
2010-134215 11.06.2010 JP
Title (EN) ETCHING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE GRAVURE
(JA) エッチング装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an etching apparatus (1) which comprises: an etching gas supply unit (10c) which supplies an etching gas into a vacuum chamber (10); a first electrode (12) which is disposed in the vacuum chamber and on the upper surface of which a substrate (Sb) is mounted; a second electrode (16) which faces the first electrode with a plasma generation space (S) lying therebetween; and a high-frequency power supply (20) which supplies high-frequency electric power to the first electrode. The etching apparatus additionally comprises an insulating unit (30) which covers at least a region of the inner surface (10d) of the vacuum chamber, in said region the relative distance from the first electrode being not more than the interelectrode distance (G) between the first electrode and the second electrode. The insulating unit (30) comprises a lateral surface (31d) that surrounds the substrate mounted on the first electrode or the second electrode, and the lateral surface includes a tapered portion (31f), the internal diameter of which increases toward the plasma generation space (S).
(FR)La présente invention concerne un appareil de gravure (1), comprenant : une unité d'alimentation en gaz de gravure (10c), qui alimente une chambre à vide (10) en gaz de gravure ; une première électrode (12), qui est disposée dans la chambre à vide, et sur la surface supérieure de laquelle est monté un substrat (Sb) ; une seconde électrode (16), qui fait face à la première électrode avec, s'étendant entre elles, un espace de génération de plasma (S) ; et une alimentation électrique à haute fréquence (20), qui envoie de l'énergie électrique à haute fréquence à la première électrode. L'appareil de gravure comprend en outre une unité d'isolation (30), qui recouvre au moins une région de la surface interne (10d) de la chambre à vide, la distance relative à partir de la première électrode dans ladite région ne dépassant pas la distance inter-électrodes (G) entre la première électrode et la seconde électrode. L'unité d'isolation (30) comprend une surface latérale (31d) qui entoure le substrat monté sur la première électrode ou sur la seconde électrode, cette surface latérale incluant une section conique (31f), dont le diamètre interne augmente vers l'espace de génération de plasma (S).
(JA) エッチング装置(1)は、真空槽(10)内にエッチングガスを供給するエッチングガス供給部(10c)と、真空槽内に配置されてその上面に基板(Sb)が載置される第1の電極(12)と、第1の電極とプラズマ生成空間(S)を介して対向する第2の電極(16)と、第1の電極に高周波電力を供給する高周波電源(20)とを備える。エッチング装置は更に、真空槽の内側面(10d)のうち第1の電極からの相対距離が第1の電極と第2の電極との間の電極間距離(G)以下となる領域を少なくとも被覆する絶縁部(30)を備える。絶縁部(30)は、第1の電極上に載置される基板又は第2の電極を囲む側面(31d)を含み、この側面は、プラズマ生成空間(S)に向かってその内径が拡大するテーパ部(31f)を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)