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1. (WO2011155402) METHOD FOR PRODUCING ANTENNA, ANTENNA, AND METHOD FOR PRODUCING WIRELESS IC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/155402    International Application No.:    PCT/JP2011/062783
Publication Date: 15.12.2011 International Filing Date: 03.06.2011
IPC:
H01Q 1/38 (2006.01), B42D 15/10 (2006.01), G06K 19/07 (2006.01), G06K 19/077 (2006.01), H01P 11/00 (2006.01), H01Q 9/16 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
IKEMOTO Nobuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
INOUCHI Toshihiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IKEMOTO Nobuo; (JP).
INOUCHI Toshihiko; (JP)
Agent: MORISHITA Takekazu; Hommachi Eiwa Building, 2-10, Minamihommachi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Priority Data:
2010-132383 09.06.2010 JP
2010-132384 09.06.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING ANTENNA, ANTENNA, AND METHOD FOR PRODUCING WIRELESS IC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ANTENNE, ANTENNE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À CIRCUIT INTÉGRÉ SANS FIL
(JA) アンテナの製造方法、アンテナ及び無線ICデバイスの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a method for producing an antenna, an antenna, and a wireless IC device, wherein an antenna which has a high reliability and maintains a stable property can be produced easily. An insulating base (mother substrate (21)) is provided with a through hole (25) penetrating the upper face and the lower face of the base (21) at a predetermined position, electrodes are formed on the entire face of the upper face and the lower face of the base (21), an electrode is also formed in the through hole (25), and the electrodes formed on the upper face and the lower face are electrically connected. Thereafter, the electrode (30) formed on the upper face of the base (21) is divided into electrodes (31, 32) by forming a slit (34). A wireless IC element (50) is mounted between the electrodes (31, 32) to extend over the slit (34), and the mother base (21) is divided to form a wireless IC device.
(FR)Selon l'invention, un procédé de fabrication d'antenne, une antenne, et un procédé de fabrication de dispositif à circuit intégré sans fil permettent une fabrication simple, une fiabilité élevée, et le maintien de caractéristiques stables. Des trous débouchant (25) sont formés en des positions prédéfinies d'un substrat isolant (substrat principal (21)), et traversent les faces supérieure et inférieure de ce substrat (21). Des électrodes sont formées sur l'ensemble des faces supérieure et inférieure du substrat (21), de même qu'à l'intérieur des trous débouchant (25), les électrodes formées sur les faces supérieure et inférieure sont donc connectées électriquement. De plus, l'électrode (30) formée sur la face supérieure du substrat (21), est divisée en électrodes (31) et (32) par formation de fentes (34). Le dispositif à circuit intégré sans fil est réalisé par montage d'éléments de circuit intégré sans fil (50) entre les électrodes (31) et (32) et à cheval sur la fente (34), et par division du substrat principal (21).
(JA) 簡易に製造でき、信頼性が高くて安定した特性を維持できるアンテナの製造方法、アンテナ及び無線ICデバイスを得る。 絶縁性の基材(マザー基板21)の所定位置に、基板21の上面及び下面を貫通するスルーホール25を形成し、基板21の上面及び下面の全面に電極を形成するとともに、スルーホール25内にも電極を形成し、上面及び下面に形成した電極を電気的に接続する。その後、基板21の上面に形成した電極30をスリット34を形成することで電極31,32に分割する。スリット34を跨いで電極31,32間に無線IC素子50を実装し、マザー基板21を分割することで、無線ICデバイスとする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)