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1. (WO2011155105) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/155105    International Application No.:    PCT/JP2011/001068
Publication Date: 15.12.2011 International Filing Date: 24.02.2011
IPC:
H01L 21/337 (2006.01), H01L 21/8222 (2006.01), H01L 21/8232 (2006.01), H01L 21/8248 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
OOOKA, Masato; (For US Only).
MATSUI, Osamu; (For US Only).
TSUJINO, Shuji; (For US Only)
Inventors: OOOKA, Masato; .
MATSUI, Osamu; .
TSUJINO, Shuji;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Priority Data:
2010-130147 07.06.2010 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device wherein a first conductivity type channel region (105) is provided on the surface portion of a semiconductor substrate (101). A second conductivity type gate region (107) is provided on the surface portion of the channel region (105). On the lower side of the channel region (105), a second conductivity type first semiconductor region (104) is provided. On both the sides of the gate region (107) on the surface portion of the channel region (105), said sides being in the channel length direction, a first conductivity type source/drain region (108) is provided. On both the sides of the channel region (105) on the semiconductor substrate (101), said sides being in the channel width direction, second conductivity type second semiconductor regions (106) having a high impurity concentration are provided.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs, comprenant une région de canal d'un premier type de conductivité (105) sur la partie de surface d'un substrat semi-conducteur (101). Une région de grille d'un second type de conductivité (107) est pourvue sur la partie de surface de la région de canal (105). Une première région semi-conductrice du second type de conductivité (104) est pourvue sur le côté inférieur de la région de canal (105). Une région de source/drain du premier type de conductivité est pourvue sur les deux côtés de la région de grille (107) sur la partie de surface de la région de canal (105), lesdits côtés étant dans le sens de la longueur de canal. Des secondes régions semi-conductrices du second type de conductivité (106) à haute concentration d'impuretés sont pourvues sur les deux côtés de la région de canal (105) sur le substrat semi-conducteur (101), lesdits côtés étant dans le sens de la largeur de canal.
(JA) 半導体基板(101)の表面部に第1導電型のチャンネル領域(105)が設けられている。チャンネル領域(105)の表面部に第2導電型のゲート領域(107)が設けられている。チャンネル領域(105)の下側に第2導電型の第1半導体領域(104)が設けられている。チャンネル領域(105)の表面部におけるゲート領域(107)のチャンネル長方向の両側に第1導電型のソース/ドレイン領域(108)が設けられている。半導体基板(101)におけるチャンネル領域(105)のチャンネル幅方向の両側に、高い不純物濃度を有する第2導電型の第2半導体領域(106)が設けられている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)