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1. (WO2011154493) COPPER-ELECTROPLATING COMPOSITION AND PROCESS FOR FILLING A CAVITY IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THIS COMPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/154493    International Application No.:    PCT/EP2011/059581
Publication Date: 15.12.2011 International Filing Date: 09.06.2011
IPC:
C25D 3/38 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: ALCHIMER [FR/FR]; 15 rue du Buisson aux Fraises Z.I. de la Bonde F-91300 Massy (FR) (For All Designated States Except US).
FREDERICH, Nadia [FR/FR]; (FR) (For US Only).
RAYNAL, Frédéric [FR/FR]; (FR) (For US Only).
GONZALEZ, José [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: FREDERICH, Nadia; (FR).
RAYNAL, Frédéric; (FR).
GONZALEZ, José; (FR)
Agent: HUBERT, Philippe; Cabinet Beau de Lomenie 158 Rue de l'Université F-75340 Paris Cedex 07 (FR)
Priority Data:
1054668 11.06.2010 FR
1151583 25.02.2011 FR
Title (EN) COPPER-ELECTROPLATING COMPOSITION AND PROCESS FOR FILLING A CAVITY IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THIS COMPOSITION
(FR) COMPOSITION POUR LE DÉPÔT ÉLECTROLYTIQUE DE CUIVRE, ET PROCÉDÉ DE REMPLISSAGE D'UNE CAVITÉ DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LADITE COMPOSITION
Abstract: front page image
(EN)The subject-matter of the present invention is a composition especially intended for filling, by the electroplating of copper, a cavity in a semiconductor substrate such as a "through-via" structure for the production of interconnects in three-dimensional integrated circuits. According to the invention, this composition comprises in solution in a solvent: - copper ions in a concentration lying between 45 and 1500 mM; - a complexing agent for the copper consisting of at least one compound chosen from aliphatic polyamines having 2 to 4 amino groups, preferably ethylenediamine, in a concentration lying between 45 and 3000 mM; - the molar ratio between the copper and said complexing agent lying between 0.1 and 5; - thiodiglycolic acid in a concentration lying between 1 and 500 mg/l; and - optionally a buffer system, in particular ammonium sulfate, in a concentration lying between 0.1 and 3M. Application: fabrication of three-dimensional integrated circuits for the electronics industry.
(FR)La présente invention concerne une composition particulièrement destinée à remplir, par dépôt électrolytique de cuivre, une cavité dans un substrat semi-conducteur telle qu'une structure d'interconnexion verticale pour la production d'interconnexions dans des circuits intégrés tridimensionnels. Ladite composition comprend, en solution dans un solvant : des ions cuivre à une concentration comprise entre 45 et 1500 mM; un agent complexant du cuivre constitué d'au moins un composé choisi parmi les polyamines aliphatiques portant 2 à 4 groupes amino, de préférence l'éthylènediamine, à une concentration comprise entre 45 et 3000 mM, le rapport molaire entre le cuivre et ledit agent complexant se situant entre 0,1 et 5; de l'acide thiodiglycolique à une concentration comprise entre 1 et 500 mg/l; et éventuellement un système tampon, en particulier du sulfate d'ammonium, à une concentration comprise entre 0,1 et 3M. Ladite composition peut être appliquée à la fabrication de circuits intégrés tridimensionnels pour l'industrie électronique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)