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1. (WO2011154049) DOUBLE MODULE FOR A MODULAR MULTI-STAGE CONVERTER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/154049    International Application No.:    PCT/EP2010/058234
Publication Date: 15.12.2011 International Filing Date: 11.06.2010
IPC:
H02M 7/757 (2006.01), H02M 7/487 (2007.01), H02M 1/32 (2007.01), H02J 3/18 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
ECKEL, Hans-Günter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GAMBACH, Herbert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: ECKEL, Hans-Günter; (DE).
GAMBACH, Herbert; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 80506 München (DE)
Priority Data:
Title (DE) DOPPELMODUL FÜR EINEN MODULAREN MEHRSTUFENUMRICHTER
(EN) DOUBLE MODULE FOR A MODULAR MULTI-STAGE CONVERTER
(FR) DOUBLE MODULE POUR UN REDRESSEUR MODULAIRE À PLUSIEURS ÉTAGES
Abstract: front page image
(DE)Ein Submodul (1) für einen Umrichter im Hochspannungsbereich mit herabgesetzter Gefahr von Querzündungen. Das Submodul hat einen ersten und zweiten und Reihe geschalteten Energiespeicher (3, 4), einer parallel zum ersten (3) bzw. zweiten (4) Energiespeicher geschalteten ersten bzw. zweiten Halbleiterreihenschaltung (13, 15) aus einer ersten (6) und einer zweiten (7), bzw. einer dritten (9) und vierten (10) an- und abschaltbaren Leistungshalbleiterschalteinheit, einer ersten Anschlussklemme (20), die mit einem ersten Potenzialpunkt zwischen der ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalteinheit (6, 7) verbunden ist, einer zweiten Anschlussklemme (21), die mit einem zweiten Potenzialpunkt zwischen der dritten und vierten Leistungshalbleitereinheit (9, 10) verbunden ist. Es wird vorgeschlagen, eine Verbindungsschalteinheit (8), zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterreihenschaltung (15), einen ersten Verbindungszweig (14) mit einer ersten Verbindungszweigdiode (17) zwischen den ersten Potenzialpunkt und dem Potenzialpunkt zwischen den Energiespeichern (3,4), und einen zweiten Verbindungszweig (16) mit einer zweiten Verbindungszweigdiode (18) zwischen den zweiten Potenzialpunkt und Potenzialpunkt zwischen den Energiespeichereinheiten (3,4) anzuordnen, wobei die Verbindungszweigdioden (18, 19) gegensinnig zueinander orientiert sind.
(EN)A submodule (1) for a converter in the high-voltage range with a reduced risk of cross-ignition. The submodule has a first and a second energy storage means (3, 4) which are connected in series, a first and a second semiconductor series circuit (13, 15) which are respectively connected in parallel with the first (3) and the second (4) energy storage means and which comprise a first (6) and a second (7), and respectively a third (9) and a fourth (10), power semiconductor switching unit which can be switched on and switched off, a first connection terminal (20) which is connected to a first potential point between the first and the second power semiconductor switching unit (6, 7), a second connection terminal (21) which is connected to a second potential point between the third and the fourth power semiconductor unit (9, 10). The invention proposes arranging a connecting switching unit (8) between the first and the second semiconductor series circuit (15), arranging a first connecting branch (14) with a first connecting branch diode (17) between the first potential point and the potential point between the energy storage means (3, 4), and arranging a second connecting branch (16) with a second connecting branch diode (18) between the second potential point and the potential point between the energy storage units (3, 4), wherein the connecting branch diodes (18, 19) are oriented in opposite directions to one another.
(FR)L'invention concerne un sous-module (1) pour un redresseur installé dans une partie haute tension, comportant un risque réduit d'interallumage. Le sous-module comprend : un premier et un deuxième accumulateur d'énergie (3, 4), montés en série ; un premier et un deuxième circuit semi-conducteur en série qui est monté en parallèle avec le premier (3) ou le deuxième (4) accumulateur d'énergie et qui est composé d'une première (6) et d'une deuxième (7) ou encore d'une troisième (9) et d'une quatrième (10) unité semi-conductrice de commutation de puissance connectables et déconnectables ; une première borne de raccordement (20) qui est reliée à un premier point de potentiel placé entre la première et la deuxième unité semi-conductrice de commutation (6, 7) ; une deuxième borne de raccordement (21) qui est reliée à un deuxième point de potentiel placé entre la troisième et la quatrième unité semi-conductrice de commutation (9, 10). Il est proposé de placer une unité de commutation de liaison (8) entre les premier et deuxième circuits semi-conducteurs de puissance (15), une première branche de liaison (14) comportant une première diode d'embranchement (17) entre le premier point de potentiel et le point de potentiel situé entre les accumulateurs d'énergie (3, 4) et une deuxième branche de liaison (16) comportant une deuxième diode d'embranchement (18) entre le deuxième point de potentiel et le point de potentiel situé entre les unités d'accumulation d'énergie (3, 4), les diodes d'embranchement (18, 19) étant montées en sens inverse l'une de l'autre.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)