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1. (WO2011153295) METHOD AND FLUIDIZED GAS PHASES REACTOR FOR PRODUCING STABLE TRICHLOROSILANE RICH CHLOROSILANE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/153295    International Application No.:    PCT/US2011/038833
Publication Date: 08.12.2011 International Filing Date: 02.06.2011
Chapter 2 Demand Filed:    02.04.2012    
IPC:
C01B 33/08 (2006.01)
Applicants: POLY PLANT PROJECT, INC. [US/US]; 3099 N. Lima Street Burbank, CA 91504 (US) (For All Designated States Except US).
CHEE, Yong, Chae [US/US]; (US) (For US Only).
KUNIMUNE, Tetsunori [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHEE, Yong, Chae; (US).
KUNIMUNE, Tetsunori; (US)
Agent: LAM, Scott [US/US]; General Counsel Poly Plant Project, Inc. 3099 N. Lima Street Burbank, California 91504 (US)
Priority Data:
12/802,320 04.06.2010 US
Title (EN) METHOD AND FLUIDIZED GAS PHASES REACTOR FOR PRODUCING STABLE TRICHLOROSILANE RICH CHLOROSILANE
(FR) PROCÉDÉ ET RÉACTEUR FLUIDISÉ EN PHASE GAZEUSE DANS LA PRODUCTION DE CHLOROSILANE STABLE RICHE EN TRICHLOROSILANE
Abstract: front page image
(EN)A fluidized bed reactor (FBR) for producing chlorosilane mixture, which has high contents of tri- chlorosilane (TCS), by hydro chlorination of metallurgical silicon (MGSI) and a method of producing high contents of TCS stably with the FBR is disclosed. A cooling jacket, which surrounds the lower reactor section, combined with inert initial charging material, which does not react with HC1 during the reaction at a temperature of above 300. degree. C. and pressure of above 5 bar, controls the extreme exothermal heat of the reaction. In addition to this, combination of an optimized gas distributor and a feeder that can feed the metallurgical silicon with accuracy of.+-.5% enabled to realize uniform temperature profile within the reaction zone within.+-.1 degree.degree. C. deviation at 350.degree. C. of average reaction temperature and at 5 bar of reaction pressure.
(FR)La présente invention concerne un réacteur à lit fluidisé (RLF) pour la production d'un mélange de chlorosilanes, présentant une teneur élevée en trichlorosilane (TCS), par hydrochloration de silicium métallurgique (SIMG), ainsi qu'un procédé de production d'une teneur élevée en TCS de façon stable à l'aide du RLF. Une enveloppe de refroidissement entourant la section inférieure du réacteur, associée à une matière de charge initiale inerte, ne réagissant pas avec HCl pendant la réaction à une température supérieure à 300 °C et une pression supérieure à 5 bars, régule le caractère fortement exothermique de la réaction. De plus, la combinaison entre un distributeur de gaz optimisé et un dispositif d'alimentation permettant d'alimenter le réacteur en silicium métallurgique avec une exactitude de ± 5 % permet d'obtenir un profil de température uniforme dans la zone réactionnelle avec une déviation de ± 1 °C à une température de réaction moyenne de 350 °C et une pression réactionnelle de 5 bars.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)