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1. (WO2011152986) SELECTIVE EMITTER SOLAR CELLS FORMED BY A HYBRID DIFFUSION AND ION IMPLANTATION PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/152986    International Application No.:    PCT/US2011/036720
Publication Date: 08.12.2011 International Filing Date: 17.05.2011
Chapter 2 Demand Filed:    27.09.2012    
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/263 (2006.01), H01L 21/266 (2006.01)
Applicants: SUNIVA, INC. [US/US]; 5775 Peachtree Industrial Boulevard Norcross, GA 30092 (US) (For All Designated States Except US).
ROHATGI, Ajeet [US/US]; (US) (For US Only).
YELUNDUR, Vijay [US/US]; (US) (For US Only).
DAVIS, Hubert, Preston [US/US]; (US) (For US Only).
CHANDRASEKARAN, Vinodh [IN/US]; (US) (For US Only).
DAMIANI, Ben [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ROHATGI, Ajeet; (US).
YELUNDUR, Vijay; (US).
DAVIS, Hubert, Preston; (US).
CHANDRASEKARAN, Vinodh; (US).
DAMIANI, Ben; (US)
Agent: BELOTE, Kevin, P.; Alston & Bird LLP Bank of America Plaza 101 South Tryon Street, Suite 4000 Charlotte, NC 28280-4000 (US)
Priority Data:
12/793,334 03.06.2010 US
Title (EN) SELECTIVE EMITTER SOLAR CELLS FORMED BY A HYBRID DIFFUSION AND ION IMPLANTATION PROCESS
(FR) CELLULES SOLAIRES À ÉMETTEUR SÉLECTIF RÉALISÉES PAR DIFFUSION HYBRIDE ET IMPLANTATION D'IONS
Abstract: front page image
(EN)Solar cells and methods for their manufacture are disclosed. An example method may include providing a silicon substrate and introducing dopant to one or more selective regions of the front surface of the substrate by ion implantation. The substrate may be subjected to a single high-temperature anneal cycle. Additional dopant atoms may be introduced for diffusion into the front surface of the substrate during the single anneal cycle. A selective emitter may be formed on the front surface of the substrate such that the one or more selective regions of the selective emitter layer are more heavily doped than the remainder of the selective emitter layer. Associated solar cells are also provided.
(FR)L'invention concerne des cellules solaires et leurs procédés de fabrication. Dans un exemple, le procédé peut consister à mettre en œuvre un substrat en silicium et à introduire un dopant dans une ou plusieurs régions sélectives de la surface avant du substrat par implantation d'ions. Le substrat peut être soumis à un cycle de recuit unique à haute température. Des atomes de dopant supplémentaires peuvent être introduits pour diffusion dans la surface avant du substrat au cours du cycle de recuit unique. Un émetteur sélectif peut être réalisé sur la surface avant du substrat, de telle sorte que la ou les régions sélectives de la couche émettrice sélective soient plus lourdement dopées que le reste de la couche émettrice sélective. L'invention concerne également des cellules solaires associées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)