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Pub. No.:    WO/2011/152670    International Application No.:    PCT/KR2011/004048
Publication Date: 08.12.2011 International Filing Date: 02.06.2011
H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1B-36, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si Gyeonggi-do 425-851 (KR) (For All Designated States Except US).
KIM, Kwang Joong [KR/KR]; (KR) (For US Only).
HAN, Chang Suk [KR/KR]; (KR) (For US Only).
CHOI, Seung Kyu [KR/KR]; (KR) (For US Only).
NAM, Ki Bum [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Nam Yoon [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Kyung Hae [KR/KR]; (KR) (For US Only).
YOON, Ju Hyung [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: KIM, Kwang Joong; (KR).
HAN, Chang Suk; (KR).
CHOI, Seung Kyu; (KR).
NAM, Ki Bum; (KR).
KIM, Nam Yoon; (KR).
KIM, Kyung Hae; (KR).
YOON, Ju Hyung; (KR)
Agent: AIP PATENT & LAW FIRM; Shinwon Building 8F, 823-14, Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-933 (KR)
Priority Data:
10-2010-0052862 04.06.2010 KR
Abstract: front page image
(EN)Exemplary embodiments of the present invention relate to a method of fabricating a light emitting diode (LED). According to an exemplary embodiment of the present invention, the method includes growing a first GaN-based semiconductor layer on a substrate at a first temperature by supplying a chamber with a nitride source gas and a first metal source gas, stopping the supply of the first metal source gas and maintaining the first temperature for a first time period after stopping the supply of the first metal source gas, decreasing the temperature of the substrate to the a second temperature after the first time period elapses, growing an active layer of the first GaN-based semiconductor layer at the second temperature by supplying the chamber with a second metal source gas.
(FR)Des modes de réalisation donnés à titre d'exemple de la présente invention ont trait à un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente (DEL). Selon un mode de réalisation de la présente invention donné à titre d'exemple, le procédé inclut les étapes consistant à mener à bien la croissance d'une première couche semi-conductrice à base de GaN sur un substrat à une première température en alimentant une chambre en gaz source de nitrure et en un premier gaz source de métal, à arrêter l'alimentation en premier gaz source de métal et à maintenir la première température pendant une première durée après l'arrêt de l'alimentation en premier gaz source de métal, à réduire la température du substrat jusqu'à ce qu'il atteigne une seconde température une fois la première durée écoulée, à mener à bien la croissance d'une couche active de la première couche semi-conductrice à base de GaN à la seconde température en alimentant la chambre en un second gaz source de métal.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)