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1. (WO2011151945) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/151945    International Application No.:    PCT/JP2011/000446
Publication Date: 08.12.2011 International Filing Date: 27.01.2011
IPC:
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKEOKA, Shinji; (For US Only)
Inventors: TAKEOKA, Shinji;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Priority Data:
2010-126677 02.06.2010 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCESSUS DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate (100), a first active region (103a) which is formed in an area located in a first Tr region in the semiconductor substrate (100), a second active region (103b) which is formed in an area located in a second Tr region in the semiconductor substrate (100), a first P-type MISFET (150a) which is formed on the first active region (103a), and a second P-type MISFET (150b) which is formed on the second active region (103b). The first P-type MISFET (150a) comprises a first semiconductor layer (104) composed of a germanium-containing semiconductor material and a second semiconductor layer (105) composed of silicon.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur qui comprend un substrat semi-conducteur (100), une première zone active (103a) qui est formée dans une zone située dans une première zone Tr dans le substrat semi-conducteur (100), une seconde zone active (103b) qui est formée dans une zone située dans une seconde zone Tr dans le substrat semi-conducteur (100), un premier transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur (transistor à effet de champ MISFET) de type P (150a) qui est formé sur la première zone active (103a) et un second transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur de type P (150b) qui est formé sur la seconde zone active (103b). Le premier transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur de type P (150a) comprend une première couche semi-conductrice (104) constituée d'un matériau semi-conducteur contenant du germanium et une seconde couche semi-conductrice (105) constituée de silicium.
(JA)半導体装置は、半導体基板100と、半導体基板100のうち第1のTr領域内に位置する領域に形成された第1の活性領域103aと、半導体基板100のうち第2のTr領域内に位置する領域に形成された第2の活性領域103bと、第1の活性領域103a上に形成された第1のP型MISFET150aと、第2の活性領域103b上に形成された第2のP型MISFET150bとを備えている。第1のP型MISFET150aは、ゲルマニウムを含有する半導体で構成された第1の半導体層104と、シリコンで構成された第2の半導体層105とを備えている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)