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1. (WO2011151243) LITHOGRAPHY METHOD FOR DOUBLED PITCH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/151243    International Application No.:    PCT/EP2011/058598
Publication Date: 08.12.2011 International Filing Date: 25.05.2011
IPC:
G03F 7/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
PAIN, Laurent [FR/FR]; (FR) (For US Only).
BELLEDENT, Jérôme [FR/FR]; (FR) (For US Only).
BARNOLA, Sébastien [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: PAIN, Laurent; (FR).
BELLEDENT, Jérôme; (FR).
BARNOLA, Sébastien; (FR)
Agent: GUERIN, Michel; Immeuble Visium 22 avenue Aristide Briand F-94117 Arcueil (FR)
Priority Data:
10/02306 01.06.2010 FR
Title (EN) LITHOGRAPHY METHOD FOR DOUBLED PITCH
(FR) PROCEDE DE LITHOGRAPHIE A DEDOUBLEMENT DE PAS
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to lithography for etching very high-density patterns on a substrate, for example for producing microelectronic integrated circuits. A high-density pattern is etched using a combination of a plurality of less-dense partial patterns; a sacrificial film is formed on a substrate (10) and the sacrificial film is etched in a first partial pattern; spacers are formed on the edges of the elements of the sacrificial film thus etched, the spacers defining a second partial pattern; and then the sacrificial film is removed so as to leave in place only the spacers (16). Next, a film (22) sensitive to an electron beam is deposited between the spacers with a thickness that is smaller than or equal to the height of the spacers; and this sensitive film is exposed, by means of an electron beam, in a third partial pattern such that there remains on the substrate a final pattern of regions containing no spacers and no sensitive film, this pattern resulting from the combination of the second and third partial patterns and having a higher density than each of the partial patterns.
(FR)L'invention concerne la lithographie pour la gravure de motifs très denses sur un substrat, par exemple pour la réalisation de circuits intégrés de microélectronique. La gravure d'un motif de densité élevée est effectuée à partir d'une combinaison de plusieurs motifs partiels moins denses; on forme une couche sacrificielle sur un substrat (10) et on grave la couche sacrificielle selon un premier motif partiel; on forme des espaceurs sur les bords des éléments de la couche sacrificielle ainsi gravée, les espaceurs définissant un deuxième motif partiel; puis on enlève la couche sacrificielle pour ne laisser subsister que les espaceurs (16). On effectue ensuite le dépôt d'une couche (22) sensible à un faisceau électronique entre les espaceurs sur une épaisseur inférieure ou égale à la hauteur des espaceurs, et on expose cette couche sensible au moyen d'un faisceau électronique selon un troisième motif partiel tel qu'il subsiste sur le substrat un motif final de régions dépourvues d'espaceurs et de couche sensible, ce motif résultant de la combinaison des deuxième et troisième motifs partiels et étant de densité plus élevée que chacun des motifs partiels.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)