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1. (WO2011150321) PHOTON DETECTOR BASED ON SUPERCONDUCTING NANOWIRES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/150321    International Application No.:    PCT/US2011/038314
Publication Date: 01.12.2011 International Filing Date: 27.05.2011
IPC:
G01J 1/42 (2006.01), H01L 39/24 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US) (For All Designated States Except US).
BERGGREN, Karl, K. [US/US]; (US) (For US Only).
HU, Xiaolong [CN/US]; (US) (For US Only).
MASCIARELLI, Daniele [IT/IT]; (IT) (For US Only)
Inventors: BERGGREN, Karl, K.; (US).
HU, Xiaolong; (US).
MASCIARELLI, Daniele; (IT)
Agent: OYER, Timothy, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210-2206 (US)
Priority Data:
61/349,510 28.05.2010 US
Title (EN) PHOTON DETECTOR BASED ON SUPERCONDUCTING NANOWIRES
(FR) DÉTECTEUR DE PHOTONS FONDÉ SUR DES NANOFILS SUPRACONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)Systems, articles, and methods are provided related to nano wire-based detectors, which can be used for light detection in, for example, single-photon detectors. In one aspect, a variety of detectors are provided, for example one including an electrically superconductive nanowire or nanowires constructed and arranged to interact with photons to produce a detectable signal. In another aspect, fabrication methods are provided, including techniques to precisely reproduce patterns in subsequently formed layers of material using a relatively small number of fabrication steps. By precisely reproducing patterns in multiple material layers, one can form electrically insulating materials and electrically conductive materials in shapes such that incoming photons are redirected toward a nearby electrically superconductive materials (e.g., electrically superconductive nanowire(s)). For example, one or more resonance structures (e.g., comprising an electrically insulating material), which can trap electromagnetic radiation within its boundaries, can be positioned proximate the nanowire(s). The resonance structure can include, at its boundaries, electrically conductive material positioned proximate the electrically superconductive nanowire such that light that would otherwise be transmitted through the sensor is redirected toward the nanowire(s) and detected. In addition, electrically conductive material can be positioned proximate the electrically superconductive nanowire (e.g. at the aperture of the resonant structure), such that light is directed by scattering from this structure into the nanowire.
(FR)L'invention concerne des systèmes, des articles et des procédés intéressant des détecteurs à nanofils, qui peuvent être utilisés pour la détection de la lumière, par exemple dans des détecteurs de photons individuels. Selon un aspect, il est proposé une diversité de détecteurs, par exemple un détecteur qui inclut un ou plusieurs nanofils électriquement supraconducteurs, construits et conçus pour interagir avec des photons afin de produire un signal détectable. Selon un autre aspect, il est proposé des procédés de fabrication comprenant des techniques destinées à reproduire précisément des motifs dans des couches de matériau formées successivement, en utilisant un nombre relativement petit d'étapes de fabrication. En reproduisant précisément des motifs dans de multiples couches de matériaux, il est possible de former des matériaux électriquement isolants et des matériaux électriquement supraconducteurs avec des formes telles que les photons arrivant sont redirigés vers des matériaux électriquement supraconducteurs adjacents (par exemple, un ou plusieurs nanofils électriquement supraconducteurs). Par exemple, une ou plusieurs structures résonantes (par exemple, comprenant un matériau électriquement isolant), qui peuvent capturer un rayonnement électromagnétique en leur sein, peuvent être positionnées près du ou des nanofils. La structure résonante peut comprendre, sur ses limites, du matériau électriquement conducteur placé près du nanofil électriquement supraconducteur, de telle sorte que la lumière qui serait sinon transmise au travers du capteur est redirigée vers le ou les nanofils et est détectée. En outre, un matériau électriquement conducteur peut être placé à proximité du nanofil électriquement supraconducteur (par exemple à l'ouverture de la structure résonante), de telle sorte que la lumière est dirigée en la diffusant à partir de cette structure vers le nanofil.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)