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1. (WO2011150135) ENHANCED PLANARITY IN GaN EDGE EMITTING LASERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/150135    International Application No.:    PCT/US2011/038015
Publication Date: 01.12.2011 International Filing Date: 26.05.2011
IPC:
H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Applicants: CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 (US) (For All Designated States Except US).
BHAT, Rajaram [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BHAT, Rajaram; (US)
Agent: WATSON, Bruce P.; Corning Incorporated SP-Ti-3-1 Intellectual Property Department Corning, New York 14831 (US)
Priority Data:
12/789,956 28.05.2010 US
Title (EN) ENHANCED PLANARITY IN GaN EDGE EMITTING LASERS
(FR) PLANARITÉ AMÉLIORÉE DANS DES LASERS GAN À ÉMISSION LATÉRALE
Abstract: front page image
(EN)A GaN edge emitting laser is provided comprising a semi-polar GaN substrate, an active region, an N-side waveguiding layer, a P-side waveguiding layer, an N-type cladding layer, and a P-type cladding layer. The GaN substrate defines a 2021 crystal growth plane and a glide plane. The N-side and P-side waveguiding layers comprise a GalnN/GaN or GalnN/GalnN superlattice (SL) waveguiding layers. The superlattice layers of the N-side and P-side SL waveguiding layers define respective layer thicknesses that are optimized for waveguide planarity, the layer thicknesses being between approximately 1 nm and approximately 5 nm. In accordance with another embodiment of the present disclosure, planarization can be enhanced by ensuring that the N-side and P-side GaN-based waveguiding layers are grown at a growth rate that exceeds approximately 0.09 nm/s, regardless of whether the N-side and P-side GaN-based waveguiding layers are provided as a GalnN/GaN or GalnN/GalnN SL or as bulk waveguiding layers. In still further embodiments, planarization can be enhanced by selecting optimal SL layer thicknesses and growth rates. Additional embodiments are disclosed and claimed.
(FR)Cette invention se rapporte à un laser GaN à émission latérale qui comprend un substrat de GaN semi-polaire, une région active, une couche guide d'ondes du côté N, une couche guide d'ondes du côté P, une couche de gainage de type N et une couche de gainage de type P. Le substrat de GaN définit un plan de croissance des cristaux 2021 et un plan de glissement. Les couches guides d'ondes du côté N et du côté P comprennent des couches guides d'ondes de GalnN/GaN ou de super-réseau moléculaire (SL) de GalnN/GalnN. Les couches de super-réseau moléculaire des couches de guides d'ondes SL du côté N et du côté P définissent des épaisseurs de couches respectives qui sont optimisées pour une planarité de guide d'ondes, les épaisseurs des couches se situant entre 1 nm approximativement et 5 nm approximativement. Selon un autre mode de réalisation de la présente description, la planarisation peut être améliorée en s'assurant que les couches guides d'ondes à base de GaN du côté N et du côté P sont développées à une vitesse de croissance qui dépasse approximativement 0,09 nm/s, indépendamment du fait que les couches guides d'ondes à base de GaN du côté N et du côté P soient fournies en tant que couches guides d'ondes de GalnN/GaN ou de SL de GalnN/GalnN ou en vrac. Dans d'autres modes de réalisation encore, la planarisation peut être améliorée en sélectionnant des épaisseurs et des vitesses de croissance de couches de SL optimales. D'autres modes de réalisation sont décrits et revendiqués.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)