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1. (WO2011149850) PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/149850    International Application No.:    PCT/US2011/037597
Publication Date: 01.12.2011 International Filing Date: 23.05.2011
IPC:
H01L 51/42 (2006.01), H01L 31/072 (2012.01)
Applicants: THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY [US/US]; 4 New South Building Princeton, NJ 08544-0036 (US) (For All Designated States Except US).
AVASTHI, Sushobhan [IN/US]; (US) (For US Only).
STURM, James, C. [US/US]; (US) (For US Only).
SCHWARTZ, Jeffrey [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: AVASTHI, Sushobhan; (US).
STURM, James, C.; (US).
SCHWARTZ, Jeffrey; (US)
Agent: MEAGHER, Thomas, F.; Meagher Emanuel Laks Roehling & Goldberg, LLP One Palmer Square, Suite 325 Princeton, NJ 08542 (US)
Priority Data:
61/416,986 24.11.2010 US
61/347,666 24.05.2010 US
Title (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A photovoltaic device and method of manufacturing is disclosed. In one embodiment, the device includes a silicon layer and first and second organic layers. The silicon layer has a first face and a second face. First and second electrodes electrically are coupled to the first and second organic layers. A first heterojunction is formed at a junction between the one of the faces of the silicon layer and the first organic layer. A second heterojunction is formed at a junction between one of the faces of the silicon layer and the second organic layer. The silicon layer may be formed without a p-n junction. At least one organic layer may be configured as an electron-blocking layer or a hole-blocking layer. At least one organic layer may be comprised of phenanthrenequinone (PQ). A passivating layer may be disposed between at least one of the organic layers and the silicon layer. The passivating layer may be organic. At least one of the organic layers may passivate a surface of the silicon layer. The device may also include at least one transparent electrode layer coupled to at least one of the electrodes.
(FR)L'invention concerne un dispositif photovoltaïque et son procédé de fabrication. Dans un mode de réalisation, le dispositif comprend une couche de silicium et une première et une seconde couche organique. La couche de silicium présente une première face et une seconde face. Une première et une seconde électrode sont électriquement couplées à la première et à la seconde couche organique. Une première hétérojonction est formée au niveau d'une jonction entre l'une des faces de la couche de silicium et la première couche organique. Une seconde hétérojonction est formée au niveau d'une jonction entre l'une des faces de la couche de silicium et la seconde couche organique. La couche de silicium peut être formée sans jonction p-n. Au moins une couche organique peut être conçue comme une couche de blocage d'électrons ou une couche de blocage de trous. Au moins une couche organique peut être constituée de phénanthrènequinone (PQ). Une couche de passivation peut être disposée entre au moins une des couches organiques et la couche de silicium. La couche de passivation peut être organique. Au moins l'une des couches organiques peut passiver une surface de la couche de silicium. Le dispositif peut également comprendre au moins une couche d'électrode transparente couplée à au moins l'une des électrodes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)