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1. (WO2011149567) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BUCKET-SHAPED UNDER-BUMP METALLIZATION AND METHOD OF FORMING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/149567    International Application No.:    PCT/US2011/023440
Publication Date: 01.12.2011 International Filing Date: 02.02.2011
Chapter 2 Demand Filed:    08.11.2011    
IPC:
H01L 23/00 (2006.01), H01L 23/556 (2006.01)
Applicants: XILINX, INC. [US/US]; 2100 Logic Drive San Jose, CA 95124 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: HART, Michael, J.; (US).
DE JONG, Jan, L.; (US).
WU, Paul, Y.; (US)
Agent: GEORGE, Thomas; Xilinx, Inc. 2100 Logic Drive San Jose, CA 95124 (US)
Priority Data:
12/713,855 26.02.2010 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BUCKET-SHAPED UNDER-BUMP METALLIZATION AND METHOD OF FORMING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC MÉTALLISATION SOUS BOSSE EN FORME DE GODET, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abstract: front page image
(EN)An embodiment of a method of forming a semiconductor device that includes a substrate (202) having an active layer (204) and interconnect (206) formed on the active layer is described. The method includes: forming a dielectric layer (210) above the interconnect (206) having a tapered via (604) exposing at least a portion of a first metal layer (216); forming an under-bump metallization (UBM) layer (218) over the tapered via and the first metal layer to form a UBM bucket (606); and forming a dielectric cap layer (212) over the dielectric layer and a portion of the UBM layer. The UBM bucket is configured to support a solder ball (214) and can advantageously block all alpha particles emitted by the solder ball having a relevant angle of incidence from reaching the active semiconductor regions of the IC. Thus, soft errors, such as single event upsets in memory cells, are reduced or eliminated.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui comprend un substrat (202) possédant une couche active (204) et une interconnexion (206) formée sur la couche active. Le procédé consiste : à former une couche diélectrique (210) au-dessus de l'interconnexion (206), avec un trou métallisé conique (604) qui expose au moins une partie d'une première couche métallique (216) ; à former une couche de métallisation sous bosse (UBM) (218) au-dessus du trou métallisé conique et de la première couche métallique afin de former un godet UBM (606), et à former une couche diélectrique de couverture (212) au-dessus de la couche diélectrique et d'une partie de la couche UBM. Le godet UBM est configuré pour porter une bille de soudure (214) et peut avantageusement intercepter toutes les particules alpha, émises par la bille de soudure, qui ont un angle d'incidence pertinent afin d'éviter qu'elles n'atteignent les régions semi-conductrices actives du CI. De cette manière, il est possible de réduire ou d'éliminer les erreurs temporaires, telles que les occurrences d'événements uniques, dans les cellules de mémoire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)