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Pub. No.:    WO/2011/148843    International Application No.:    PCT/JP2011/061485
Publication Date: 01.12.2011 International Filing Date: 19.05.2011
C30B 29/36 (2006.01), C30B 33/06 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ITOH, Satomi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HARADA, Shin [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAKI, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MASUDA, Takeyoshi; (JP).
ITOH, Satomi; (JP).
HARADA, Shin; (JP).
SASAKI, Makoto; (JP)
Agent: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2010-122704 28.05.2010 JP
(JA) 炭化珪素基板およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are: a silicon carbide substrate which is capable of reducing the production cost of a semiconductor device that uses the silicon carbide substrate; and a method for producing the silicon carbide substrate. Specifically disclosed is a method for producing an SiC bonded substrate, which comprises: a step (S10) of preparing a plurality of single crystal bodies that are composed of silicon carbide (SiC); a step (S20) of forming an assembly; a step (S30) of bonding the single crystal bodies with each other; and a step (S60) of slicing the assembly. In the step (S20), an assembly of single crystal bodies is formed by aligning a plurality of SiC single crystal ingots with an Si layer containing silicon (Si) being interposed between adjacent single crystal ingots. In the step (S30), at least a part of the Si layer is changed into silicon carbide by heating the assembly and adjacent SiC single crystal ingots are bonded with each other by the portion which is changed into silicon carbide in the Si layer. In the step (S60), the assembly wherein the SiC single crystal ingots are bonded with each other is sliced.
(FR)L'invention porte sur un substrat de carbure de silicium qui est capable de réduire le coût de production d'un dispositif à semi-conducteurs qui utilise le substrat de carbure de silicium ; et sur un procédé de production du substrat de carbure de silicium. L'invention porte plus précisément sur un procédé de production d'un substrat à liaison SiC, qui comprend : une étape (S10) de préparation d'une pluralité de corps monocristallins qui sont composés de carbure de silicium (SiC) ; une étape (S20) de formation d'un ensemble ; une étape (S30) de collage les uns aux autres des corps monocristallins ; et une étape (S60) de tranchage de l'ensemble. Dans l'étape (S20), un ensemble de corps monocristallins est formé par alignement d'une pluralité de lingots monocristallins de SiC, une couche de Si contenant du silicium (Si) étant intercalée entre les lingots monocristallins adjacents. Dans l'étape (S30), au moins une partie de la couche de Si est changée en carbure de silicium par chauffage de l'ensemble, et les lingots monocristallins de SiC adjacents sont collés les uns aux autres par la partie qui est changée en carbure de silicium de la couche de Si. Dans l'étape (S60), l'ensemble dans lequel les lingots monocristallins de SiC sont collés les uns aux autres est tranché.
(JA) 炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板およびその製造方法が得られる。SiC張り合せ基板の製造方法は、複数の炭化珪素(SiC)からなる単結晶体を準備する工程(S10)と、集合体を形成する工程(S20)と、単結晶体同士を接続する工程(S30)と、集合体をスライスする工程(S60)とを備える。工程(S20)では、複数のSiC単結晶インゴットを、珪素(Si)を含むSi層を間に挟んで並ぶように配置して単結晶体の集合体を形成する。工程(S30)では、集合体を加熱することにより、Si層の少なくとも一部を炭化珪素化するとともに、Si層において炭化珪素化した部分により、隣接するSiC単結晶インゴット同士を接続する。工程(S60)では、SiC単結晶インゴット同士が接続された集合体をスライスする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)