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1. (WO2011148444) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/148444    International Application No.:    PCT/JP2010/007013
Publication Date: 01.12.2011 International Filing Date: 01.12.2010
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/34 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
AOI, Nobuo; (For US Only)
Inventors: AOI, Nobuo;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Priority Data:
2010-121313 27.05.2010 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The opposite surface (1b) of a semiconductor substrate (1), which is on the reverse side of an element formation surface (1a) of the semiconductor substrate (1), is provided with a first recess (3), from which at least an end face of a through electrode (2) is exposed, and a second recess (8), from which the through electrode (2) is not exposed. The opposite surface (1b) of the semiconductor substrate (1) is provided with a first insulating film (4) such that the inner surface of the first recess (3) other than the end face of the through electrode (2) and the inner surface of the second recess (8) are covered by the first insulating film (4). A conductive film (5) is formed on the first insulating film (4) so as to extend to the outside of the first recess (3), while being connected to the end face of the through electrode (2).
(FR)Selon l'invention, la surface opposée (1b) d'un substrat semi-conducteur (1), située au verso d'une surface de formation d'élément (1a) du substrat semi-conducteur (1), comporte un premier évidement (3) au travers duquel est exposée au moins une face d'extrémité d'une électrode traversante (2), et un second évidement (8) au travers duquel l'électrode traversante (2) n'est pas exposée. La surface opposée (1b) du substrat semi-conducteur (1) comporte un premier film isolant (4), de telle sorte que la surface intérieure du premier évidement (3), en-dehors de la face d'extrémité de l'électrode traversante (2), et la surface intérieure du second évidement (8) se trouvent recouvertes par le premier film isolant (4). Un film conducteur (5) est formé sur le premier film isolant (4) afin de s'étendre vers l'extérieur du premier évidement (3) tout en étant connecté à la face d'extrémité de l'électrode traversante (2).
(JA) 半導体基板(1)の素子形成面(1a)の反対面(1b)には、貫通電極(2)の少なくとも端面を露出させる第1の凹部(3)と、貫通電極(2)を露出させない第2の凹部(8)とが形成されている。半導体基板(1)の反対面(1b)上には、第1の凹部(3)における貫通電極(2)の端面を除く内面及び第2の凹部(8)の内面を覆うように第1の絶縁膜(4)が形成されている。第1の絶縁膜(4)上には、貫通電極(2)の端面と接続し且つ第1の凹部(3)の外側まで延びる導電膜(5)が形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)