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1. (WO2011147670) INTERCONNECT STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/147670    International Application No.:    PCT/EP2011/057409
Publication Date: 01.12.2011 International Filing Date: 09.05.2011
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (For All Designated States Except US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
LIN, Qinghuang [CN/US]; (US) (For US Only).
GOLDFARB, Dario, Leonardo [AR/US]; (US) (For US Only).
KWONG, Ranee, Wai-Ling [US/US]; (US) (For US Only).
NEUMAYER, Deborah, Ann [US/US]; (US) (For US Only).
SHOBHA, Hosadurga [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LIN, Qinghuang; (US).
GOLDFARB, Dario, Leonardo; (US).
KWONG, Ranee, Wai-Ling; (US).
NEUMAYER, Deborah, Ann; (US).
SHOBHA, Hosadurga; (US)
Agent: WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Priority Data:
12/788,912 27.05.2010 US
Title (EN) INTERCONNECT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'INTERCONNEXION
Abstract: front page image
(EN)An interconnect structure is provided that includes at least one patterned and cured photo- patternable low k material located on a surface of a patterned and cured oxygen-doped SiC antireflective coating (ARC). A conductively filled region is located within the at least one patterned and cured photo-patternable low k material and the patterned and cured oxygen- doped SiC ARC. The oxygen-doped SiC ARC, which is a thin layer (i.e., less than 400 angstroms), does not produce standing waves that may degrade the diffusion barrier and the electrically conductive feature that are embedded within the patterned and cured photo- patternable low k dielectric material and, as such, structural integrity is maintained. Furthermore, since a thin oxygen-doped SiC ARC is employed, the plasma etch process time used to open the material stack of the ARC/dielectric cap can be reduced, thus reducing potential plasma damage to the patterned and cured photo-patternable low k material. Also, the oxygen-doped SiC ARC can withstand current BEOL processing conditions.
(FR)L'invention concerne une structure d'interconnexion qui comprend au moins un matériau diélectrique photogravable à faible coefficient k, gravé et durci, situé à la surface d'un revêtement anti-réfléchissant (ARC) de SiC dopé à l'oxygène, gravé et durci. Une région remplie de matériau conducteur est située dans ledit ou lesdits matériaux diélectriques photogravables à faible coefficient k, gravés et durcis et dans ledit revêtement ARC de SiC dopé à l'oxygène, gravé et durci. Le revêtement de SiC dopé à l'oxygène, qui est une couche mince (c'est-à-dire moins de 400 angströms), ne produit pas d'ondes stationnaires qui pourraient dégrader la barrière de diffusion et la fonction de conduction électrique qui sont placées dans le matériau diélectrique photogravable à faible coefficient k, gravé et durci, si bien que l'intégrité structurelle est conservée. En outre, comme on utilise un fin revêtement de SiC dopé à l'oxygène, le temps de gravure au plasma nécessaire pour ouvrir l'empilement composé du revêtement ARC et du capuchon diélectrique peut être réduit, ce qui diminue le risque de détérioration par le plasma du matériau diélectrique photogravable à faible coefficient k, gravé et durci. De même, le revêtement ARC de SiC dopé à l'oxygène peut résister aux conditions actuelles de traitement de la partie BEOL.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)