WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2011146700) HIGH POWER GALLIUM NITRIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/146700    International Application No.:    PCT/US2011/037125
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 19.05.2011
IPC:
H03F 3/04 (2006.01)
Applicants: CREE INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703 (US) (For All Designated States Except US).
SMITH, JR., Thomas J. [US/US]; (US) (For US Only).
WILLIS, Matthew [US/US]; (US) (For US Only).
SRIRAM, Saptharishi [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SMITH, JR., Thomas J.; (US).
WILLIS, Matthew; (US).
SRIRAM, Saptharishi; (US)
Agent: MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428 Raleigh, North Carolina 27627 (US)
Priority Data:
61/346,753 20.05.2010 US
13/110,573 18.05.2011 US
Title (EN) HIGH POWER GALLIUM NITRIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHES
(FR) COMMUTATEURS DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP AU NITRURE DE GALLIUM DE GRANDE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN)A monolithic high power radio frequency switch includes a substrate, and first and second gallium nitride high electron mobility transistors on the substrate. Each of the first and second gallium nitride high electron mobility transistors includes a respective source, drain and gate terminal. The source terminal of the first gallium nitride high electron mobility transistor is coupled to the drain terminal of the second gallium nitride high electron mobility transistor, and the source terminal of the second gallium nitride high electron mobility transistor is coupled to ground. An RF input pad is coupled to the drain terminal of the first second gallium nitride high electron mobility transistor, an RF output pad is coupled to the source terminal of the first gallium nitride high electron mobility transistor and the drain terminal of the second gallium nitride high electron mobility transistor.
(FR)La présente invention concerne un commutateur à radiofréquence monolithique de grande puissance comprenant un substrat, et des premier et second transistors à grande mobilité d'électrons au nitrure de gallium sur le substrat. Chacun des premier et second transistors à grande mobilité d'électrons au nitrure de gallium comprend respectivement une connexion de sortie de la source, une sortie de drain et une gâchette. La connexion de sortie de la source du premier transistor à grande mobilité d'électrons au nitrure de gallium est couplée à la sortie de drain du second transistor à grande mobilité d'électrons au nitrure de gallium, et la connexion de sortie de la source du second transistor à grande mobilité d'électrons au nitrure de gallium est couplée à la terre. Un coussinet d'entrée RF est couplé à la sortie de drain du second transistor à grande mobilité d'électrons au nitrure de gallium, un coussinet de sortie RF est couplé à la connexion de sortie de la source du premier transistor à grande mobilité d'électrons au nitrure de gallium et à la sortie de drain du second transistor à grande mobilité d'électrons au nitrure de gallium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)