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1. (WO2011146020) METHOD FOR PREPARING A LEAD-FREE PIEZOELECTRIC THIN FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/146020    International Application No.:    PCT/SG2011/000190
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 20.05.2011
Chapter 2 Demand Filed:    19.03.2012    
IPC:
H01L 41/187 (2006.01), C01G 33/00 (2006.01), C04B 35/495 (2006.01), C04B 35/622 (2006.01), H01L 41/318 (2013.01)
Applicants: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH [SG/SG]; 1 Fusionopolis Way #20-10 Connexis Singapore 138632 (SG) (For All Designated States Except US).
GOH, Phoi Chin [MY/SG]; (SG) (For US Only).
YAO, Kui [CN/SG]; (SG) (For US Only)
Inventors: GOH, Phoi Chin; (SG).
YAO, Kui; (SG)
Agent: PATEL, Upasana; Marks & Clerk Singapore LLP Tanjong Pagar P.O. Box 636 Singapore 910816 (SG)
Priority Data:
61/346,583 20.05.2010 US
Title (EN) METHOD FOR PREPARING A LEAD-FREE PIEZOELECTRIC THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UNE COUCHE MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE SANS PLOMB
Abstract: front page image
(EN)The present invention discloses a method of preparing a lead-free piezoelectric thin film comprising the steps of: providing a precursor solution comprising at least one alkali metal ion, a polyamino carboxylic acid, and an amine; depositing the precursor solution on a substrate to form a film; and annealing the film. The present invention also provides a lead-free piezoelectric thin film prepared according to the method, a precursor solution for use in the method and a method of preparing the precursor solution.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation d'une couche mince piézoélectrique sans plomb comprenant les étapes consistant à : fournir une solution de précurseur comprenant au moins un ion métallique alcalin, un acide polyamino carboxylique, et une amine; déposer la solution de précurseur sur un substrat pour former une couche; et recuire la couche. La présente invention concerne également une couche mince piézoélectrique sans plomb préparée selon le procédé, une solution de précurseur destinée à être utilisée dans le procédé et un procédé de préparation de la solution de précurseur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)