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1. (WO2011145604) ETCHING SOLUTION, AND METHOD FOR PROCESSING SURFACE OF SILICON SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/145604    International Application No.:    PCT/JP2011/061293
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 17.05.2011
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SHINRYO CORPORATION [JP/JP]; 5F, Nissay Shin Kurosaki Bldg., 9-24, Kurosaki 3-chome, Yahatanishi-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8060021 (JP) (For All Designated States Except US).
SAWAI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIKAWA, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIRAHAMA, Toshiki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OTSUBO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAWAI, Takeshi; (JP).
ISHIKAWA, Makoto; (JP).
SHIRAHAMA, Toshiki; (JP).
OTSUBO, Hiroshi; (JP)
Agent: KATO, Hisashi; #411, Hakataekimae Business Center 25-21, Hakataekimae 3-chome, Hakata-ku Fukuoka-shi, Fukuoka 8120011 (JP)
Priority Data:
2010-114615 18.05.2010 JP
2010-239923 26.10.2010 JP
Title (EN) ETCHING SOLUTION, AND METHOD FOR PROCESSING SURFACE OF SILICON SUBSTRATE
(FR) SOLUTION DE GRAVURE ET PROCÉDÉ DESTINÉ À TRAITER LA SURFACE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) エッチング液およびシリコン基板の表面加工方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an etching solution which enables the formation of a silicon substrate having fine pyramid-like depressions and protrusions (a textured structure) in a steady manner without requiring the use of any conventional etching inhibitor such as isopropyl alcohol. Specifically disclosed is an etching solution in which a silicon substrate is to be immersed to form pyramid-like depressions and protrusions on the surface of the substrate, and which is characterized by comprising at least one component selected from compounds (A) each represented by general formula (1) and alkali salts thereof and an alkali hydroxide (B) at a concentration of 0.1 to 30 wt% inclusive. (In the formula, R represents one of an alkyl group, an alkenyl group and an alkynyl group each having 4 to 15 inclusive of carbon atoms; and X represents a sulfonic acid group.) By using the etching solution, it becomes possible to form a fine textured structure on the surface of a silicon substrate.
(FR)Cette invention se rapporte à une solution de gravure qui permet de former un substrat de silicium qui présente des dépressions et des saillies fines semblables à des pyramides (une structure texturée) d'une façon régulière sans nécessiter l'utilisation d'un quelconque inhibiteur de gravure conventionnel tel que l'alcool isopropylique. Cette invention décrit de manière particulière une solution de gravure dans laquelle un substrat de silicium doit être immergé de façon à former des dépressions et des saillies semblables à des pyramides sur la surface du substrat et qui est caractérisée en ce qu'elle comprend au moins un composant sélectionné dans le groupe constitué par les composés (A), chacun d'eux étant représenté par la formule générale (1) et des sels alcalins de ceux-ci et un hydroxyde alcalin (B) à une concentration comprise entre 0,1 % et 30 % inclus en poids. (Dans la formule, R représente un groupe alkyle et/ou un groupe alcényle et/ou un groupe alcynyle, chacun d'eux ayant un nombre d'atomes de carbone compris entre 4 et 15 inclus ; et X représente un groupe acide sulfonique). En utilisant la solution de gravure, il devient possible de former une structure texturée fine sur la surface d'un substrat de silicium.
(JA) イソプロピルアルコール等の従来のエッチング抑制剤を使用することなく、微細なピラミッド状の凹凸(テクスチャー構造)を有するシリコン基板を安定的に形成することが可能なエッチング液を提供する。 シリコン基板を浸漬して、該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させるエッチング液であって、 下記一般式(1)で表わされる化合物(A)又はそのアルカリ塩より選択される1種以上と、濃度が0.1重量%以上30重量%以下である水酸化アルカリ(B)とを含有することを特徴とするエッチング液。 R-X (1) (式中、Rは、炭素数4以上15以下のアルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基のいずれかを表し、Xは、スルホン酸基を表す。) 該エッチング液を使用することにより、シリコン基板表面に微細なテクスチャー構造を形成することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)