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1. (WO2011145538) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/145538    International Application No.:    PCT/JP2011/061125
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 10.05.2011
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/136 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAKI, Toshinari; (For US Only).
NODA, Kosei; (For US Only)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
SASAKI, Toshinari; .
NODA, Kosei;
Priority Data:
2010-117373 21.05.2010 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abstract: front page image
(EN)It is an object to provide a semiconductor device including an oxide semiconductor, which has stable electric characteristics and high reliability. An oxide semiconductor film serving as a channel formation region of a transistor is formed by a sputtering method at a temperature higher than 200 C, so that the number of water molecules eliminated from the oxide semiconductor film can be 0.5/nm3 or less according to thermal desorption spectroscopy. A substance including a hydrogen atom such as hydrogen, water, a hydroxyl group, or hydride which causes variation in the electric characteristics of a transistor including an oxide semiconductor is prevented from entering the oxide semiconductor film, whereby the oxide semiconductor film can be highly purified and made to be an electrically i-type (intrinsic) semiconductor.
(FR)Cette invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur qui comprend un semi-conducteur oxyde, qui présente des caractéristiques électriques stables et une fiabilité élevée. Un film semi-conducteur oxyde servant de région de formation de canal d'un transistor est formé grâce à un procédé de pulvérisation à une température supérieure à 200 °C, de telle sorte que le nombre de molécules d'eau éliminées du film semi-conducteur oxyde soit égal ou inférieur à 0,5/nm3 selon une spectroscopie de thermodésorption. Une substance qui comprend un atome d'hydrogène tel que l'hydrogène, l'eau, un groupe hydroxyle, ou un hydrure, qui provoque une variation dans les caractéristiques électriques d'un transistor qui comprend un semi-conducteur oxyde, est empêchée de pénétrer dans le film semi-conducteur oxyde, grâce à quoi le film semi-conducteur oxyde peut être fortement purifié et transformé en semi-conducteur de type i (intrinsèque) du point de vue électrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)