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1. (WO2011145489) SILICON NITRIDE FILM FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/145489    International Application No.:    PCT/JP2011/060809
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 11.05.2011
IPC:
H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088215 (JP) (For All Designated States Except US).
NISHIKAWA Seiji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAFUKU Hidetaka [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NISHIKAWA Seiji; (JP).
KAFUKU Hidetaka; (JP)
Agent: MITSUISHI Toshiro; Mitsuishi Law and Patent Office, 9-15, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Priority Data:
2010-116848 21.05.2010 JP
Title (EN) SILICON NITRIDE FILM FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE FILM
(FR) COUCHE DE NITRURE DE SILICIUM POUR ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LA FABRICATION DE COUCHE DE NITRURE DE SILICIUM
(JA) 半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a silicon nitride film for a semiconductor element, wherein changes of film stress of the silicon nitride film are suppressed, said silicon nitride film being formed by applying bias power. Also disclosed are a method and an apparatus for manufacturing the silicon nitride film. The silicon nitride film, which is formed on a substrate (19) by plasma processing, and which is to be used in the semiconductor element, has a structure wherein a biased SiN film (31) formed by applying bias to the substrate (19) is sandwiched between an unbiased SiN film (32a) and an unbiased SiN film (32b), which are formed by not applying bias to the substrate (19).
(FR)L'invention porte sur une couche de nitrure de silicium pour un élément à semi-conducteur, des changements de contrainte de couche de la couche de nitrure de silicium étant supprimés, ladite couche de nitrure de silicium étant formée par application d'une énergie de polarisation. L'invention porte également sur un procédé et un appareil pour la fabrication de la couche de nitrure de silicium. La couche de nitrure de silicium, qui est formée sur un substrat (19) par traitement au plasma et qui doit être utilisée dans l'élément à semi-conducteur, a une structure dans laquelle une couche de SiN polarisée (31) formée par application de polarisation au substrat (19) est prise en sandwich entre une couche de SiN non polarisée (32a) et une couche de SiN non polarisée (32b), qui sont formées sans application de polarisation au substrat (19).
(JA) バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜の膜応力の変化を抑制する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。そのため、プラズマ処理により基板(19)上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、基板(19)にバイアスを印加して形成したバイアスSiN膜(31)を、基板(19)にバイアスを印加しないで形成したアンバイアスSiN膜(32a)とアンバイアスSiN膜(32b)との間に挟み込む構造とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)