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1. (WO2011145484) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/145484    International Application No.:    PCT/JP2011/060792
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 28.04.2011
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
ENDO, Yuta [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAKI, Toshinari; (For US Only).
NODA, Kosei; (For US Only).
SATO, Mizuho; (For US Only).
ICHIJO, Mitsuhiro; (For US Only).
ENDO, Toshiya; (For US Only)
Inventors: ENDO, Yuta; (JP).
SASAKI, Toshinari; .
NODA, Kosei; .
SATO, Mizuho; .
ICHIJO, Mitsuhiro; .
ENDO, Toshiya;
Priority Data:
2010-117086 21.05.2010 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)In a transistor having a top-gate structure in which a gate electrode layer overlaps with an oxide semiconductor layer which forms a channel region with a gate insulating layer interposed therebetween, when a large amount of hydrogen is contained in the insulating layer, hydrogen is diffused into the oxide semiconductor layer because the insulating layer is in contact with the oxide semiconductor layer; thus, electric characteristics of the transistor are degraded. An object is to provide a semiconductor device having favorable electric characteristics. An insulating layer in which the concentration of hydrogen is less than 6 × 1020 atoms/cm3 is used for the insulating layer being in contact with oxide semiconductor layer which forms the channel region. Using the insulating layer, diffusion of hydrogen can be prevented and a semiconductor device having favorable electric characteristics can be provided.
(FR)Dans un transistor ayant une structure à grille supérieure dans laquelle une couche d'électrode de grille se superpose à une couche d'oxyde semi-conducteur formant une région de canal, avec une couche d'isolation de grille interposée entre celles-ci, lorsqu'une grande quantité d'hydrogène est contenue dans la couche d'isolation, l'hydrogène diffuse dans la couche d'oxyde semi-conducteur du fait que la couche isolante est au contact de la couche d'oxyde semi-conducteur; de ce fait, les caractéristiques électriques du transistor sont dégradées. Un objectif de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteurs possédant des caractéristiques électriques favorables. Une couche d'isolation dans laquelle la concentration en hydrogène est inférieure à 6 x 1020 atomes/cm3 est utilisée pour la couche d'isolation au contact avec la couche d'oxyde semi-conducteur formant la région de canal. Grâce à la couche d'isolation, la diffusion de l'hydrogène peut être empêchée et il est possible d'obtenir un dispositif à semi-conducteurs possédant des caractéristiques électriques favorables.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)