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1. (WO2011145456) MANUFACTURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR ORGANIC EL ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/145456    International Application No.:    PCT/JP2011/060514
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 02.05.2011
IPC:
H05B 33/10 (2006.01), C23C 14/04 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
KAWATO Shinichi; (For US Only).
HAYASHI Nobuhiro; (For US Only).
SONODA Tohru; (For US Only).
INOUE Satoshi; (For US Only)
Inventors: KAWATO Shinichi; .
HAYASHI Nobuhiro; .
SONODA Tohru; .
INOUE Satoshi;
Agent: IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026 (JP)
Priority Data:
2010-114556 18.05.2010 JP
Title (EN) MANUFACTURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR ORGANIC EL ELEMENT
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR ÉLÉMENT EL ORGANIQUE
(JA) 有機EL素子の製造方法及び製造装置
Abstract: front page image
(EN)Arrange a vapour deposition source (60), a plurality of limiting plates (81) and a vapour deposition mask (70) in that order. Move a substrate relative to the vapour deposition mask in a state which is estranged from the mask by only a uniform interval. Vapour deposition particles (91), which are emitted from a vapour deposition source opening (61) in the vapour deposition source, pass between neighbouring limiting plates, pass through a mask opening (71) formed in the vapour deposition mask, attach onto the substrate and form a coating film (90). The limiting plates limit the incidence angle of the vapour deposition particles which enter the mask opening, as seen along the relative movement direction of the substrate. Thus, an organic EL element can be formed on a large-sized substrate without widening pixel pitch or reducing the aperture ratio.
(FR)L'invention concerne un procédé comportant les étapes consistant à : disposer une source (60) de dépôt de vapeur, une pluralité de plaques limitatrices (81) et un masque (70) de dépôt de vapeur, dans cet ordre ; déplacer un substrat par rapport au masque de dépôt de vapeur dans une position séparée du masque d'un intervalle uniforme. Des particules (91) de dépôt de vapeur, émises à partir d'une ouverture (61) pratiquée dans la source de dépôt de vapeur, passent entre des plaques limitatrices voisines, traversent une ouverture (71) pratiquée dans le masque de dépôt de vapeur, se fixent sur le substrat et forment un film (90) de revêtement. Les plaques limitatrices limitent l'angle d'incidence des particules de dépôt de vapeur qui entrent dans l'ouverture de masque, vu dans la direction du mouvement relatif du substrat. Il est ainsi possible de former un élément EL organique sur un substrat de grandes dimensions sans élargir le pas des pixels ni réduire l'ouverture relative.
(JA) 蒸着源(60)と複数の制限板(81)と蒸着マスク(70)とをこの順に配置する。蒸着マスクに対して基板を一定間隔だけ離間させた状態で相対的に移動させる。蒸着源の蒸着源開口(61)から放出された蒸着粒子(91)は、隣り合う制限板の間を通過し、蒸着マスクに形成されたマスク開口(71)を通過し基板に付着して被膜(90)を形成する。制限板は、マスク開口に入射する蒸着粒子の、基板の相対的移動方向に沿って見たときの入射角度を制限する。これにより、画素ピッチを広げたり、開口率を低くしたりすることなく、有機EL素子を大型の基板にも形成することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)