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1. (WO2011145417) TITANIUM OXIDE THIN FILM AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF, MAGNETIC MEMORY, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND CHARGE STORAGE MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/145417    International Application No.:    PCT/JP2011/059345
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 15.04.2011
IPC:
C01G 23/04 (2006.01), G11B 7/243 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Applicants: The University of Tokyo [JP/JP]; (JP) (For All Designated States Except US).
OHKOSHI, Shin-ichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOKORO, Hiroko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HAKOE, Fumiyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUNOBUCHI, Yoshihide [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HASHIMOTO, Kazuhito [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHKOSHI, Shin-ichi; (JP).
TOKORO, Hiroko; (JP).
HAKOE, Fumiyoshi; (JP).
TSUNOBUCHI, Yoshihide; (JP).
HASHIMOTO, Kazuhito; (JP)
Agent: YOSHIDA, Tadanori; 304 La Tour Shinjuku, 15-1, Nishishinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Priority Data:
2010-117343 21.05.2010 JP
Title (EN) TITANIUM OXIDE THIN FILM AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF, MAGNETIC MEMORY, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND CHARGE STORAGE MEMORY
(FR) COUCHE MINCE D'OXYDE DE TITANE ET PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE CELLE-CI, MÉMOIRE MAGNÉTIQUE, SUPPORT D'ENREGISTREMENT D'INFORMATIONS OPTIQUES, ET MÉMOIRE À STOCKAGE DE CHARGE
(JA) 酸化チタン薄膜、その製造方法、磁気メモリ、光情報記録媒体及び電荷蓄積型メモリ
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are: a titanium oxide thin film which can exhibit novel properties that cannot be exhibited by conventional titanium oxide thin films; a process for producing the titanium oxide thin film; and a magnetic memory, an optical information recording medium and a charge storage memory, each of which is produced using the titanium oxide thin film. A raw material solution containing TiO2 particles is applied onto the surface of a substrate (2) to form a TiO2 particle layer on the surface of the substrate (2), and the substrate (2) is burned under a hydrogen atmosphere to form a titanium oxide thin film (3) on the surface of the substrate (2). In this manner, it becomes possible to provide the titanium oxide thin film (3) which does not undergo phase transfer at room temperature unlike conventional bulky materials that undergo the phase transfer into a non-magnetic semiconductor and a paramagnetic metal at a temperature about 460 K, and therefore has such a novel and non-conventional property that the Ti3O5 particles therein can keep the properties of a paramagnetic metal at any time in any temperature range.
(FR)La présente invention concerne : une couche mince d'oxyde de titane qui peut présenter de nouvelles propriétés qui ne peuvent pas être présentées par des couches minces d'oxyde de titane conventionnelles; un procédé pour produire la couche mince d'oxyde de titane; et une mémoire magnétique, un support d'enregistrement d'informations optiques et une mémoire à stockage de charge, dont chacun est produit en utilisant la couche mince d'oxyde de titane. Une solution de matière première contenant des particules de TiO2 est appliquée sur la surface d'un substrat (2) pour former une couche de particules de TiO2 sur la surface du substrat (2), et le substrat (2) est cuit sous une atmosphère d'hydrogène pour former une couche mince d'oxyde de titane (3) sur la surface du substrat (2). De cette manière, il devient possible de produire la couche mince d'oxyde de titane (3) qui ne subit pas de transfert de phase à température ambiante contrairement aux matériaux volumineux conventionnels qui subissent le transfert de phase en un semi-conducteur non magnétique et un métal paramagnétique à une température d'environ 460 K, et a par conséquent une telle propriété nouvelle et non conventionnelle que les particules de Ti3O5 dans celle-ci peuvent maintenir les propriétés d'un métal paramagnétique à un temps quelconque dans une plage de température quelconque.
(JA)従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン薄膜及びその製造方法と、それを用いた磁気メモリ、光情報記録媒体及び電荷蓄積型メモリを提供する。 TiO粒子を混入させた原料溶液を基板2の表面に塗布して、TiO粒子層を当該基板2の表面に形成し、水素雰囲気下において焼成処理することにより、基板2の表面に酸化チタン薄膜3を形成する。これにより、温度が約460K付近において非磁性半導体と常磁性金属とに相転移する従来におけるバルク体とは異なり、室温で相転移せずに、全ての温度領域において、Ti粒子本体が常磁性金属の特性を常に維持することができるという従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン薄膜3を提供できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)