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1. (WO2011145387) Si-SiC-BASED COMPOSITE MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF, HONEYCOMB STRUCTURE, HEAT-CONDUCTIVE MATERIAL, AND HEAT EXCHANGER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/145387    International Application No.:    PCT/JP2011/055952
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 14.03.2011
IPC:
C04B 35/565 (2006.01), C04B 41/85 (2006.01), C04B 41/88 (2006.01)
Applicants: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi 4678530 (JP) (For All Designated States Except US).
KOIKE, Shiho [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIMODA, Takehide [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Yoshimasa [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOIKE, Shiho; (JP).
SHIMODA, Takehide; (JP).
KOBAYASHI, Yoshimasa; (JP)
Agent: ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; Pola-Nagoya Bldg., 9-26, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008 (JP)
Priority Data:
61/346,938 21.05.2010 US
Title (EN) Si-SiC-BASED COMPOSITE MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF, HONEYCOMB STRUCTURE, HEAT-CONDUCTIVE MATERIAL, AND HEAT EXCHANGER
(FR) MATÉRIAU COMPOSITE À BASE DE Si-SiC ET PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE CELUI-CI, STRUCTURE EN NID D'ABEILLES, MATÉRIAU THERMIQUEMENT CONDUCTEUR, ET ÉCHANGEUR DE CHALEUR
(JA) Si-SiC系複合材料及びその製造方法、ハニカム構造体、熱伝導体ならびに熱交換器
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an Si-SiC-based composite material which contains 57 to 85 mass% inclusive of SiC, 10.5 to 42.6 mass% inclusive of Si, and 0.1 to 12.9 mass% inclusive of Al, wherein the Al/Si ratio is 1/99 to 30/70 inclusive by weight. The composite material may have such a structure that at least one phase of Al2O3 and mullite is located between SiC particles. The Si-SiC-based composite material can be produced using an SiC-containing material to be impregnated and an Si-containing impregnation metal donor, wherein at least one of the material to be impregnated and the impregnation metal donor contains Al. The composite material can be produced through an impregnation step of impregnating the material to be impregnated with an Si-containing molten metal produced from the impregnation metal donor under ambient pressure in an inert gas atmosphere at a temperature ranging from 1200°C to 1600°C inclusive.
(FR)La présente invention concerne un matériau composite à base de Si-SiC qui contient de 57 à 85 % en masse inclus de SiC, de 10,5 à 42,6 % en masse inclus de Si, et de 0,1 à 12,9 % en masse inclus de Al, dans lequel le rapport Al/Si est de 1/99 à 30/70 inclus en poids. Le matériau composite peut avoir une structure telle qu'au moins une phase de Al2O3 et de mullite soit située entre des particules de SiC. Le matériau composite à base de Si-SiC peut être produit en utilisant un matériau contenant du SiC à imprégner et un donneur de métal d'imprégnation contenant Si, dans lequel au moins l'un du matériau à imprégner et le donneur de métal d'imprégnation contient Al. Le matériau composite peut être produit par l'intermédiaire d'une étape d'imprégnation d'imprégnation du matériau à imprégner avec un métal fondu contenant Si produit à partir du donneur de métal d'imprégnation sous pression ambiante dans une atmosphère de gaz inerte à une température dans la plage de 1200 °C à 1600 °C inclus.
(JA) Si-SiC系複合材料は、SiCを57質量%以上85質量%以下、Siを10.5質量%以上42.6質量%以下、Alを0.1質量%以上12.9質量%以下含み、重量比であるAl/Si比が1/99以上30/70以下の範囲である。また、Al23及びムライトのうち少なくともいずれか1つの相がSiC粒子間に存在する構造を有するものとしてもよい。このSi-SiC系複合材料は、SiCを含む被含浸体とSiを含む含浸金属供給体とを用い、該被含浸体及び該含浸金属供給体のうち少なくとも一方にAlを含み、常圧の不活性ガス雰囲気、1200℃以上1600℃以下の温度範囲で前記含浸金属供給体からのSiを含む溶融金属を前記被含浸体へ含浸処理する含浸工程を経て作製されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)